三星电子株式会社孙荣晥获国家专利权
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龙图腾网获悉三星电子株式会社申请的专利垂直非易失性存储器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112582421B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-13发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010939672.4，技术领域涉及：H10B43/00；该发明授权垂直非易失性存储器件是由孙荣晥;李普英;李昇原;李承桓设计研发完成，并于2020-09-09向国家知识产权局提交的专利申请。
本垂直非易失性存储器件在说明书摘要公布了：一种垂直非易失性存储器件包括：堆叠体，其包括在堆叠方向上堆叠的栅极图案和层间绝缘图案，堆叠体在栅极图案中和在层间绝缘图案中具有在堆叠方向上延伸的贯通孔；半导体柱，其在贯通孔中并在堆叠方向上延伸；数据存储结构，其在栅极图案与贯通孔中的半导体柱之间，数据存储结构包括电荷存储层；以及虚设电荷存储层，其在贯通孔中在层间绝缘图案的侧壁上朝向半导体柱。
本发明授权垂直非易失性存储器件在权利要求书中公布了：1.一种垂直非易失性存储器件，包括： 堆叠体，其包括在堆叠方向上堆叠的栅极图案和层间绝缘图案，所述堆叠体在所述栅极图案中和在所述层间绝缘图案中具有在所述堆叠方向上延伸的贯通孔，所述堆叠体进一步包括所凹陷孔，所述凹陷孔与所述贯通孔连通并且在朝向所述栅极图案的方向上从所述层间绝缘图案的侧壁凹入； 半导体柱，其在所述贯通孔中并且在所述堆叠方向上延伸； 数据存储结构，其在所述栅极图案与所述贯通孔中的所述半导体柱之间，所述数据存储结构包括在所述凹陷孔中的电荷存储层；以及虚设电荷存储层，其在所述贯通孔中在所述层间绝缘图案的侧壁上朝向所述半导体柱，所述虚设电荷存储层由与所述电荷存储层相同的电荷存储材料形成。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人三星电子株式会社，其通讯地址为：韩国京畿道；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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