英飞凌科技股份有限公司W·舒施特雷德获国家专利权
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龙图腾网获悉英飞凌科技股份有限公司申请的专利用于处理半导体衬底的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112864005B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-13发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202011354484.1，技术领域涉及：H10P30/20；该发明授权用于处理半导体衬底的方法是由W·舒施特雷德;A·布雷梅泽;M·德拉吉奇;T·F·W·赫希鲍尔;W·莱纳特;H-J·舒尔茨;M·D·施沃博达设计研发完成，并于2020-11-27向国家知识产权局提交的专利申请。
本用于处理半导体衬底的方法在说明书摘要公布了：提出了用于处理半导体衬底100的方法。方法的示例包括通过将离子注入通过半导体衬底100的第一表面102而在半导体衬底100中形成腔体104。腔体104在半导体衬底100中限定分离层106。此后，在半导体衬底100的第一表面102上形成半导体层108。半导体器件元件被形成在半导体层108中。此后，沿着分离层106将半导体衬底100分离成包括半导体层108的第一衬底部分1001以及第二衬底部分1002。
本发明授权用于处理半导体衬底的方法在权利要求书中公布了：1.一种用于处理半导体衬底100的方法，所述方法包括： 通过将离子注入通过半导体衬底100的第一表面102来在半导体衬底100中形成腔体104，其中腔体104限定半导体衬底100中的分离层106；此后在半导体衬底的第一表面102上形成半导体层108； 在半导体层108中形成半导体器件元件；并且此后沿着分离层将半导体衬底100分离成包括半导体层108的第一衬底部分1001以及第二衬底部分1002，其中所述方法还包括将质子注入通过半导体层108而进入到半导体衬底100中。
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