三星电子株式会社尹承灿获国家专利权
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龙图腾网获悉三星电子株式会社申请的专利半导体器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113013161B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-13发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202011451732.4，技术领域涉及：H10D84/83；该发明授权半导体器件是由尹承灿;韩东焕设计研发完成，并于2020-12-10向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体器件在说明书摘要公布了：一种半导体器件包括：基板，包括第一区域和第二区域；第一晶体管，在第一区域上，并包括从第一区域突出的第一半导体图案、覆盖第一半导体图案的上表面和侧壁的第一栅极结构、在第一栅极结构的相反侧且在第一半导体图案上的第一源极漏极层，第一源极漏极层的上表面比第一栅极结构的最上表面更靠近基板；以及第二晶体管，在第二区域上并包括从第二区域突出的第二半导体图案、覆盖第二半导体图案的侧壁的第二栅极结构、在第二半导体图案下面的第二源极漏极层以及在第二半导体图案上的第三源极漏极层，其中第一区域的上表面低于第二区域的上表面。
本发明授权半导体器件在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件，包括： 基板，包括第一区域和第二区域，在所述基板的所述第一区域上的第一晶体管，所述第一晶体管包括： 第一半导体图案，在垂直方向上从所述基板的所述第一区域的上表面突出； 第一栅极结构，覆盖所述第一半导体图案的上表面和侧壁；以及第一源极漏极层，在所述第一半导体图案的在所述第一栅极结构的相反侧处的相应部分上，与所述第一栅极结构的最上表面在所述垂直方向上到所述基板相比，所述第一源极漏极层的上表面在所述垂直方向上更靠近所述基板；和在所述基板的所述第二区域上的第二晶体管，所述第二晶体管包括： 第二半导体图案，在所述垂直方向上从所述基板的所述第二区域的上表面突出； 第二栅极结构，覆盖所述第二半导体图案的侧壁； 第二源极漏极层，在所述基板的所述第二区域的上部处且在所述第二半导体图案下面；以及在所述第二半导体图案上的第三源极漏极层，其中所述基板的所述第一区域的所述上表面低于所述基板的所述第二区域的所述上表面。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人三星电子株式会社，其通讯地址为：韩国京畿道；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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