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三星电子株式会社陈暎究获国家专利权

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龙图腾网获悉三星电子株式会社申请的专利包括光源和ToF传感器的电子装置、和LIDAR系统获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN113050065B

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-13发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202011110840.5,技术领域涉及:G01S7/481;该发明授权包括光源和ToF传感器的电子装置、和LIDAR系统是由陈暎究;吉珉墡;金大允;金永灿设计研发完成,并于2020-10-16向国家知识产权局提交的专利申请。

包括光源和ToF传感器的电子装置、和LIDAR系统在说明书摘要公布了:提供了包括光源和飞行时间传感器的电子装置、和光检测和测距系统。电子装置包括:飞行时间ToF传感器,其包括像素阵列;光源,其发射光信号;和光学装置,其将光信号投射到对象的分别与包括像素阵列的像素的多个像素块相对应的区域。每个像素包括多个抽头,每个抽头包括光电晶体管、与光电晶体管连接的第一传输晶体管、与第一传输晶体管连接的存储元件、与存储元件连接的第二传输晶体管、与第二传输晶体管连接的浮置扩散区和与浮置扩散区连接的读出电路。溢出晶体管与光电晶体管相邻设置并与电源电压连接。

本发明授权包括光源和ToF传感器的电子装置、和LIDAR系统在权利要求书中公布了:1.一种电子装置,包括: 飞行时间传感器,其包括像素阵列; 光源,其被配置为发射光信号;和光学装置,其被配置为将所述光信号投射到对象的区域,所述区域分别与包括所述像素阵列的像素的多个像素块相对应,其中,所述像素中的每个像素包括: 多个抽头,每个抽头包括光电晶体管、与所述光电晶体管连接的第一传输晶体管、与所述第一传输晶体管连接的存储元件、与所述存储元件连接的第二传输晶体管、与所述第二传输晶体管连接的浮置扩散区和与所述浮置扩散区连接的读出电路,和溢出晶体管,其与所述光电晶体管相邻设置,并且具有与所述多个抽头的光电晶体管共同连接的第一端、与电源电压连接的第二端、以及被施加溢出门信号的栅极,所述溢出晶体管被配置为基于所述溢出门信号在除曝光间隔以外的剩余时间内从所述光电晶体管中去除电荷,其中,所述多个像素块中的第一像素块包括所述像素中的第一像素,所述第一像素沿着第一方向布置,其中,所述多个像素块中的第二像素块包括所述像素中的第二像素,所述第二像素沿着所述第一方向布置,其中,所述第一像素块和所述第二像素块沿着不同于所述第一方向的第二方向布置,其中,所述第一像素被配置为响应于与所述光信号同步的具有第一频率的光电门信号而操作,并且其中,所述第二像素被配置为响应于与所述光信号同步的具有第二频率的光电门信号而操作,所述第二频率不同于所述第一频率。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术,可联系本专利的申请人或专利权人三星电子株式会社,其通讯地址为:韩国京畿道;或者联系龙图腾网官方客服,联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

以上内容由龙图腾AI智能生成。

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