杭州士兰微电子股份有限公司杨彦涛获国家专利权
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龙图腾网获悉杭州士兰微电子股份有限公司申请的专利双向功率器件及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113192885B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-13发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202011163970.5，技术领域涉及：H10D84/03；该发明授权双向功率器件及其制造方法是由杨彦涛;张邵华设计研发完成，并于2020-10-27向国家知识产权局提交的专利申请。
本双向功率器件及其制造方法在说明书摘要公布了：本申请公开了一种双向功率器件及其制造方法，该双向功率器件包括：半导体层；第一掺杂区，位于半导体层中；第一沟槽区的多个沟槽，位于第一掺杂区中，将第一掺杂区分隔为交替的第一类子掺杂区与第二类子掺杂区；栅介质层，覆盖第一沟槽区的多个沟槽的下部侧壁；控制栅，位于第一沟槽区的多个沟槽的下部并与栅介质层接触；屏蔽介质层，覆盖第一沟槽区的多个沟槽的上部侧壁并位于控制栅的表面；以及第一屏蔽栅，位于第一沟槽区的多个沟槽中并与屏蔽介质层接触，其中，屏蔽介质层将控制栅和第一屏蔽栅分隔，第一沟槽区的沟槽的上部侧壁的屏蔽介质层的厚度不一致，从而可以通过栅电极施加不同电压达到形成不同电场的效果。
本发明授权双向功率器件及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种双向功率器件的制造方法，包括： 在半导体层中形成第一掺杂区； 在第一沟槽区形成多个沟槽，所述第一沟槽区的多个沟槽位于所述第一掺杂区中，将所述第一掺杂区分隔为交替的第一类子掺杂区与第二类子掺杂区； 形成覆盖所述第一沟槽区的多个沟槽的下部侧壁的栅介质层； 在所述第一沟槽区的多个沟槽的下部形成与所述栅介质层接触的控制栅； 形成覆盖所述第一沟槽区的多个沟槽的上部侧壁与所述控制栅表面的屏蔽介质层；以及在所述第一沟槽区的多个沟槽中形成与所述屏蔽介质层接触的第一屏蔽栅，其中，所述屏蔽介质层将所述控制栅和所述第一屏蔽栅分隔，所述第一沟槽区的沟槽的上部侧壁的所述屏蔽介质层的厚度不一致。
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