力晶积成电子制造股份有限公司李世平获国家专利权
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龙图腾网获悉力晶积成电子制造股份有限公司申请的专利电容结构以及其制作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113224038B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-13发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010080562.7，技术领域涉及：H10D1/68；该发明授权电容结构以及其制作方法是由李世平;黄彬杰;林欣怡;黄国芳;王长岳设计研发完成，并于2020-02-05向国家知识产权局提交的专利申请。
本电容结构以及其制作方法在说明书摘要公布了：本发明公开一种电容结构以及其制作方法，其中该电容结构包含一下电极板位于一基底上，其中该下电极板上具有多个凹槽，一电容介电层位于该下电极板上与该些凹槽上，以及一上电极板位于该电容介电层上，其中该电容介电层与该上电极板的边缘具有往与该下电极板的顶面垂直的方向延伸的垂直延伸部位。
本发明授权电容结构以及其制作方法在权利要求书中公布了：1.一种电容结构的制作方法，包含： 在基底上形成下电极材料层； 进行第一光刻制作工艺图案化该下电极材料层以形成下电极板，其中该第一光刻制作工艺同时在该下电极板上形成多个凹槽； 在该下电极板上形成介电层； 进行第二光刻制作工艺移除部分的该介电层以裸露出含括该些凹槽的部分该下电极板； 在该下电极板与该介电层的表面依序形成电容介电层与上电极板；以及移除位于该介电层的顶面上的该电容介电层与该上电极板，使得该电容介电层与该上电极板的边缘具有位于该介电层的侧壁上的垂直延伸部位。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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