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龙图腾网获悉三星电子株式会社申请的专利垂直场效应晶体管(VFET)器件和制造其的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113299752B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-13发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110135744.4，技术领域涉及：H10D30/01；该发明授权垂直场效应晶体管(VFET)器件和制造其的方法是由金旻奎;全辉璨;孙吉焕设计研发完成，并于2021-02-01向国家知识产权局提交的专利申请。

本垂直场效应晶体管(VFET)器件和制造其的方法在说明书摘要公布了：提供一种垂直场效应晶体管VFET器件和制造其的方法。该方法包括：提供中间VFET结构，包括衬底和在衬底上的鳍结构、栅极结构和底部外延层，栅极结构分别形成在鳍结构和底部外延层上，每个鳍结构包括鳍和其上的掩模；在栅极结构之间及其侧面填充层间电介质ILD层；分别在ILD层上形成ILD保护层，ILD保护层具有上部和下部并包括防止ILD层处的氧化物损失的材料；去除在ILD保护层的下部上方的鳍结构、栅极结构和ILD保护层；去除鳍结构的掩模和栅极结构的顶部，使得去除之后的鳍结构的顶表面和栅极结构的顶表面低于ILD层的顶表面；在其顶部被去除的栅极结构上形成顶部间隔物并且在其掩模被去除的鳍结构上形成顶部外延层；以及形成连接到顶部外延层的接触结构。

本发明授权垂直场效应晶体管(VFET)器件和制造其的方法在权利要求书中公布了：1.一种用于制造垂直场效应晶体管器件的方法，所述方法包括： a提供中间垂直场效应晶体管结构，其包括衬底以及在所述衬底上的鳍结构、栅极结构和底部外延层，所述栅极结构分别形成在所述鳍结构和所述底部外延层上，每个鳍结构包括鳍和在其上的掩模； b在所述栅极结构之间及其侧面填充层间电介质层； c分别在所述层间电介质层上形成层间电介质保护层，所述层间电介质保护层具有上部和下部，并包括防止所述层间电介质层处的氧化物损失的材料； d去除在所述层间电介质保护层的所述下部上方的所述鳍结构、所述栅极结构和所述层间电介质保护层； e去除所述鳍结构的所述掩模和所述栅极结构的顶部，使得在所述去除之后的所述鳍结构的顶表面和所述栅极结构的顶表面低于所述层间电介质层的顶表面； f在其所述顶部被去除的所述栅极结构上形成顶部间隔物，并且在其所述掩模被去除的所述鳍结构上形成顶部外延层；以及g形成连接到所述顶部外延层的接触结构。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人三星电子株式会社，其通讯地址为：韩国京畿道；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

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