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龙图腾网获悉洛克利光子有限公司申请的专利在绝缘体上硅晶片上制造基于III-V族的光电器件的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113366714B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-13发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202080006324.X，技术领域涉及：H01S5/02；该发明授权在绝缘体上硅晶片上制造基于III-V族的光电器件的方法是由余国民设计研发完成，并于2020-08-25向国家知识产权局提交的专利申请。

本在绝缘体上硅晶片上制造基于III-V族的光电器件的方法在说明书摘要公布了：一种在绝缘体上硅晶片上制造基于III‑V族的光电器件的方法。所述绝缘体上硅晶片包括硅器件层、衬底以及在所述衬底与所述硅器件层之间的绝缘体层。所述方法包括以下步骤：提供器件试样，所述器件试样由多个基于III‑V族的层形成；提供所述绝缘体上硅晶片，所述晶片包括具有接合区域的空腔；将所述器件试样转印到所述空腔中，并且将所述器件试样的某一层接合到所述接合区域，使得在所述器件试样的一个或多个侧边周围留下通道；用桥波导材料填充所述通道；以及对所述器件试样、所述绝缘体上硅晶片和或所述通道执行一个或多个蚀刻步骤，以在所述器件试样中提供基于III‑V族半导体的波导，在所述通道中提供一个或多个桥波导，并且在所述绝缘体上硅晶片中提供硅波导。

本发明授权在绝缘体上硅晶片上制造基于III-V族的光电器件的方法在权利要求书中公布了：1.一种在绝缘体上硅晶片上制造基于III‑V族的光电器件的方法，所述绝缘体上硅晶片包括硅器件层、衬底以及在所述衬底与所述硅器件层之间的绝缘体层，其中所述方法包括以下步骤： 提供器件试样，所述器件试样由多个基于III‑V族的层形成； 提供所述绝缘体上硅晶片，所述晶片包括具有接合区域的空腔； 将所述器件试样转印到所述空腔中，并且将所述器件试样的某一层接合到所述接合区域，使得在所述器件试样的一个或多个侧边周围留下通道； 用抗反射内衬为所述通道加衬里； 用桥波导材料填充所述通道；以及对所述器件试样、所述绝缘体上硅晶片和或所述通道执行一个或多个蚀刻步骤，以在所述器件试样中提供基于III‑V族半导体的波导，在所述通道中提供一个或多个桥波导，并且在所述绝缘体上硅晶片中提供硅波导，其中所述抗反射内衬沿着所述空腔的床上的顶表面与所述绝缘体层的顶表面对准，并且所述抗反射内衬还位于所述桥波导与所述基于III‑V族半导体的波导之间和所述桥波导与所述硅波导之间，并且所述桥波导位于所述抗反射内衬的沿着所述空腔的床上的顶表面之上，其中所述抗反射内衬为氮化硅，氮化硅内衬的厚度为至少230纳米且不大于260纳米，并且所述氮化硅内衬的折射率为至少2.5且不大于2.8，并且其中所述方法还包括： 蚀刻所述氮化硅内衬，使得所述氮化硅内衬的顶表面与所述绝缘体层的顶表面对准； 然后在器件上方沉积块状非晶硅，使得非晶硅填充所述通道并覆盖所述器件的最上表面； 然后向下蚀刻所述非晶硅，使得仅保留包围所述通道的部分； 然后执行化学机械平坦化工艺，使得所述非晶硅的最上表面与所述氮化硅内衬的最上表面对准； 然后修整在所述通道中的非晶硅，使得所述非晶硅的顶表面与所述硅器件层的顶表面对准，由此提供所述桥波导； 然后在所述器件上方批量沉积额外的氮化硅，以填充所述通道；以及然后对所述氮化硅执行另一次化学机械平坦化工艺，以使所述器件的上表面变平坦。

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