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龙图腾网获悉株式会社迪思科申请的专利芯片的制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113380608B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-13发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110196071.3，技术领域涉及：H10P34/42；该发明授权芯片的制造方法是由佐井星一设计研发完成，并于2021-02-22向国家知识产权局提交的专利申请。

本芯片的制造方法在说明书摘要公布了：本发明提供芯片的制造方法，能够抑制芯片的品质降低。芯片的制造方法将晶片沿着分割预定线分割成多个芯片，该芯片的制造方法具有如下的工序：晶片保持工序，利用卡盘工作台对晶片的第1面侧进行保持而使晶片的第2面侧露出；改质层形成工序，通过从晶片的第2面侧将对于晶片具有透过性并且在第1聚光点和第2聚光点处聚光的激光束按照将第1聚光点和第2聚光点定位于晶片的内部的方式进行照射，在第1聚光点和第2聚光点所定位的区域中分别形成改质区域，并形成包含沿着分割预定线排列的多个改质区域的改质层；以及分割工序，对晶片施加外力，将晶片沿着分割预定线分割成多个芯片。

本发明授权芯片的制造方法在权利要求书中公布了：1.一种芯片的制造方法，将晶片沿着分割预定线分割成多个芯片，其特征在于，该芯片的制造方法具有如下的工序： 晶片保持工序，利用卡盘工作台对该晶片的第1面侧进行保持而使该晶片的第2面侧露出； 改质层形成工序，通过从该晶片的该第2面侧将对于该晶片具有透过性并且在第1聚光点和第2聚光点处聚光的激光束按照将该第1聚光点和该第2聚光点定位于该晶片的内部的方式进行照射，在该第1聚光点和该第2聚光点所定位的区域中分别形成改质区域，并形成包含沿着该分割预定线排列的多个该改质区域的改质层；以及分割工序，对该晶片施加外力，将该晶片沿着该分割预定线分割成多个该芯片，该改质层形成工序具有如下的工序： 第1改质层形成工序，通过从该晶片的该第2面侧照射该激光束，形成包含沿着该分割预定线排列的多个该改质区域的第1改质层；以及第2改质层形成工序，在该第1改质层形成工序之后，通过从该晶片的该第2面侧照射该激光束，在比该第1改质层靠该晶片的该第1面侧的位置形成包含沿着该分割预定线排列的多个该改质区域的第2改质层，在改质层形成工序中，在形成于该第1聚光点所定位的区域的该改质区域中产生的龟裂与在形成于该第2聚光点所定位的区域的该改质区域中产生的龟裂连结。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人株式会社迪思科，其通讯地址为：日本东京都；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

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