日月光半导体制造股份有限公司吕文隆获国家专利权
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龙图腾网获悉日月光半导体制造股份有限公司申请的专利半导体封装装置及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113380747B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-13发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110546148.5，技术领域涉及：H10W72/20；该发明授权半导体封装装置及其制造方法是由吕文隆设计研发完成，并于2021-05-19向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体封装装置及其制造方法在说明书摘要公布了：本公开涉及半导体封装装置及其制造方法。该半导体封装装置包括：第一线路层，第一线路层的第一表面设置有至少两个导电衬垫，每个导电衬垫的表面具有凹陷结构，凹陷结构的底部具有水平部，各导电衬垫对应的水平部位于同一水平面。在该半导体封装装置及其制造方法中，第一线路层上的导电衬垫具有凹陷结构，各个凹陷结构底部的水平部位于同一水平面，可通过凹陷结构的水平部与第二线路层表面的导电突起电连接，消除了第一线路层上导电衬垫的厚度不一致所带来的影响，避免了厚度不一致引起的各种连接问题，有利于提高产品良率。
本发明授权半导体封装装置及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体封装装置，包括： 第一线路层，所述第一线路层的第一表面设置有至少两个导电衬垫，每个所述导电衬垫的表面具有凹陷结构，所述凹陷结构的底部具有水平部，各所述导电衬垫对应的所述水平部位于同一水平面； 所述凹陷结构的底部还具有下沉部； 所述至少两个导电衬垫对应的所述凹陷结构具有至少两种不同的深度； 所述半导体封装装置还包括第二线路层；所述第二线路层的表面设置有导电突起，所述导电突起的端部与所述凹陷结构的所述水平部电连接； 所述水平部上设置有种子层，所述种子层上设置有焊接层，所述导电突起的端部与所述焊接层通过焊料电连接； 所述第二线路层与所述第一线路层之间设置有底部填充材或模塑材； 所述凹陷结构通过压头压入所述导电衬垫的第一表面形成，所述导电衬垫受所述压头的压应力影响部分的厚度与所述导电衬垫的剩余金属厚度的比值大于0.02并且小于0.32。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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