日月光半导体制造股份有限公司吕文隆获国家专利权
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龙图腾网获悉日月光半导体制造股份有限公司申请的专利半导体封装结构及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113594142B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-13发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110821339.8，技术领域涉及：H10B80/00；该发明授权半导体封装结构及其制造方法是由吕文隆设计研发完成，并于2021-07-20向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体封装结构及其制造方法在说明书摘要公布了：本公开提供的半导体封装结构及其制造方法，第一堆叠芯片组与第二堆叠芯片组之间通过电连接件例如导电柱上下堆栈，并实现电连接。由于第一堆叠芯片组与第二堆叠芯片组之间上下堆栈，因此不存在现有的堆栈式封装结构中堆叠芯片组与堆叠芯片组之间并列堆栈之间的空隙，并且也无需使用例如硅通孔ThroughSiliconVia,TSV或其他导通孔方式并搭配重布线层，缩短了电路径并缩小了堆栈式封装结构的整体尺寸。
本发明授权半导体封装结构及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体封装结构，包括： 重布线层，具有相对的第一表面和第二表面； 第一堆叠芯片组和第二堆叠芯片组，设于所述重布线层上，所述第一堆叠芯片组包括错位堆叠的至少两个第一芯片，所述第二堆叠芯片组包括错位堆叠的至少两个第二芯片，相邻的所述第一芯片之间以粘合层粘接，相邻的所述第二芯片之间以粘合层粘接，所述第二堆叠芯片组与所述第一堆叠芯片组上下堆栈并电性连接，所述第二堆叠芯片组翻转并堆栈于所述第一堆叠芯片组上，所述第一堆叠芯片组和所述第二堆叠芯片组之间设有导电柱以电性连接，所述第一芯片的主动面设有凸块，所述导电柱与所述凸块之间设有接合层，所述第一芯片的主动面设有第一接合焊盘和第二接合焊盘，所述第一接合焊盘和所述第二接合焊盘分别设于所述凸块的两侧，相邻的所述第一芯片中的第一接合焊盘与另一第一芯片的第二接合焊盘之间设有导线以电性连接。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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