吉光半导体科技有限公司佟存柱获国家专利权
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龙图腾网获悉吉光半导体科技有限公司申请的专利垂直腔面发射激光器芯片获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113809638B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-13发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111121571.7，技术领域涉及：H01S5/183；该发明授权垂直腔面发射激光器芯片是由佟存柱;王延靖;汪丽杰;王立军设计研发完成，并于2021-09-24向国家知识产权局提交的专利申请。
本垂直腔面发射激光器芯片在说明书摘要公布了：本发明提供一种垂直腔面发射激光器芯片，包括衬底和从下至上依次制备在衬底上的缓冲层、N型DBR层、第一SCH层、第二SCH层、量子阱结构层、第三SCH层、氧化结构层、P型DBR层、P型接触层，在第一SCH层与量子阱结构层之间制备有隧穿层，隧穿层的禁带宽度大于量子阱结构层的禁带宽度，载流子依次经N型DBR层、第一SCH层传输到隧穿层，再以隧穿方式穿过隧穿层注入量子阱结构层中以隧穿方式传输。本发明通过在SCH层与量子阱结构层之间增加隧穿层，并且优化量子阱结构层中势垒层的厚度，使得载流子以隧穿的方式注入量子阱结构层并且在量子阱层与势垒层之间隧穿传输，从而改善载流子传输效应与热载流子效应并提高微分增益，最终实现高调制带宽。
本发明授权垂直腔面发射激光器芯片在权利要求书中公布了：1.一种垂直腔面发射激光器芯片，包括衬底和从下至上依次制备在所述衬底上的缓冲层、N型DBR层、第一SCH层、量子阱结构层、第二SCH层、氧化结构层、P型DBR层、P型接触层，其特征在于，在所述第一SCH层与所述量子阱结构层之间制备有隧穿层，所述隧穿层的禁带宽度大于所述量子阱结构层的禁带宽度，载流子依次经所述N型DBR层、所述第一SCH层传输到所述隧穿层，再以隧穿方式穿过所述隧穿层注入所述量子阱结构层中，并在所述量子阱结构层中以隧穿方式传输；所述量子阱结构层包括依次交错层叠的量子阱层和势垒层，所述隧穿层的禁带宽度大于所述势垒层的禁带宽度，通过优化所述势垒层的厚度，当所述势垒层的厚度达到特定值时，实现量子隧穿效应，从而使载流子以隧穿方式在所述量子阱层和所述势垒层之间传输进行传输。
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