长江存储科技有限责任公司柳波获国家专利权
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龙图腾网获悉长江存储科技有限责任公司申请的专利一种半导体器件、存储器以及存储系统获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113871389B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-13发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111140954.9，技术领域涉及：H10B41/35；该发明授权一种半导体器件、存储器以及存储系统是由柳波;李明设计研发完成，并于2021-09-28向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种半导体器件、存储器以及存储系统在说明书摘要公布了：本发明公开了一种半导体器件、存储器以及存储系统，该半导体器件包括衬底、位于衬底上的堆叠层和虚拟沟道结构，堆叠层包括阶梯区，虚拟沟道结构包括多个，且沿垂直于衬底的第一方向贯穿阶梯区的堆叠层。其中，每个虚拟沟道结构包括中心结构和多个外突分支结构，在至少部分虚拟沟道结构中，多个外突分支结构均匀间隔围绕中心结构且与中心结构连接，多个外突分支结构相对于中心结构、沿垂直于第一方向且远离中心结构的第二方向外突。这样虚拟沟道结构的形状使得在刻蚀形成虚拟沟道孔时，上下能够保持形状一致，即保形性较好，进而支撑性能更好。另外，由于本发明中的虚拟沟道结构的尺寸较大，可以降低深宽比，因此可以降低沟道孔的刻蚀难度。
本发明授权一种半导体器件、存储器以及存储系统在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件，其特征在于，包括： 衬底； 位于所述衬底上的堆叠层，所述堆叠层包括阶梯区；以及，虚拟沟道结构，所述虚拟沟道结构沿第一方向贯穿所述阶梯区，所述第一方向为垂直于所述衬底的方向； 其中，所述虚拟沟道结构包括沿所述第一方向延伸的中心结构和多个外突分支结构，所述虚拟沟道结构包括多个； 在至少部分所述虚拟沟道结构中，所述多个外突分支结构均匀间隔围绕所述中心结构且与所述中心结构连接，所述多个外突分支结构相对于所述中心结构沿第二方向外突，所述第二方向为垂直于所述第一方向且远离所述中心结构的方向； 部分所述虚拟沟道结构仅包括3个所述外突分支结构，所述虚拟沟道结构在垂直于所述第一方向的截面呈Y字形。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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