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龙图腾网获悉台湾积体电路制造股份有限公司申请的专利半导体器件及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113921469B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-13发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110873652.6，技术领域涉及：H10D84/01；该发明授权半导体器件及其制造方法是由程仲良设计研发完成，并于2021-07-30向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体器件及其制造方法在说明书摘要公布了：公开了具有不同栅极结构配置的半导体器件及其制造方法。方法包括：在第一鳍结构和第二鳍结构上形成第一纳米结构沟道区域和第二纳米结构沟道区域；形成具有第一厚度的第一氧化物层和具有第二厚度的第二氧化物层；在第一氧化物层和第二氧化物层上形成具有第一层部分和第二层部分的介电层；在第一层部分和第二层部分上形成具有第一氧扩散率的第一覆盖层和具有第二氧扩散率的第二覆盖层；生长第一氧化物层至具有第三厚度并且生长第二氧化物层至具有第四厚度；以及在介电层上方形成栅极金属填充层。第一厚度和第二厚度彼此基本相等，并且第一氧化物层和第二氧化物层围绕第一纳米结构沟道区域和第二纳米结构沟道区域。第二氧扩散率高于第一氧扩散率。第四厚度大于第三厚度。

本发明授权半导体器件及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种制造半导体器件的方法，包括： 在第一鳍结构和第二鳍结构上分别形成第一纳米结构沟道区域和第二纳米结构沟道区域； 分别形成具有第一厚度的第一氧化物层和具有第二厚度的第二氧化物层，其中，所述第一厚度和所述第二厚度彼此基本相等，并且其中，所述第一氧化物层和所述第二氧化物层分别围绕所述第一纳米结构沟道区域和所述第二纳米结构沟道区域； 在所述第一氧化物层和所述第二氧化物层上分别形成具有第一层部分和第二层部分的高k介电层； 在所述第一层部分和所述第二层部分上分别形成具有第一氧扩散率的第一覆盖层和具有第二氧扩散率的第二覆盖层，其中，所述第二氧扩散率高于所述第一氧扩散率； 在所述第一覆盖层和所述第一层部分之间形成第三氧化物层； 在所述第二覆盖层和所述第二层部分之间形成第四氧化物层； 生长所述第一氧化物层至具有第三厚度并且生长所述第二氧化物层至具有第四厚度，其中，所述第四厚度大于所述第三厚度；以及在所述高k介电层上方形成栅极金属填充层。

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