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龙图腾网获悉之江实验室;华东师范大学申请的专利一种非破坏性读取的铁电忆容器及其制作方法和应用获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113948519B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-13发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110979542.8，技术领域涉及：H10B53/30；该发明授权一种非破坏性读取的铁电忆容器及其制作方法和应用是由田博博;谢茁壮;朱秋香;段纯刚设计研发完成，并于2021-08-25向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种非破坏性读取的铁电忆容器及其制作方法和应用在说明书摘要公布了：本发明涉及一种非破坏性读取的铁电忆容器及其制作方法和应用，铁电存储器的结构为“电极‑铁电层‑电极‑绝缘介质层‑半导体”；制作方法为：首先在半导体衬底上生长一层绝缘材料介质层，其次在“半导体‑绝缘介质层”基底上制作中间电极，然后在“半导体‑绝缘介质层‑电极”上生长铁电材料形成铁电薄膜层，最后在“半导体‑绝缘介质层‑电极‑铁电层”上制作顶电极，形成忆容器；应用为：使顶电极作为输入端，基底半导体用银浆引出作为输出端，两端之间的电容可在正负脉冲作用下改变并保存，然后在小信号三角波下实现非破坏性读取。本发明实现了电容作为存储信息，并满足非易失存储的要求，读取和写入的速度快，且热损耗低，能量利用率高。

本发明授权一种非破坏性读取的铁电忆容器及其制作方法和应用在权利要求书中公布了：1.一种非破坏性读取的铁电忆容器，其特征在于，包括自下至上依次设置的半导体、绝缘介质层、中间电极、铁电层和顶电极；所述绝缘介质层与半导体间设置有常温导电材料层；所述半导体与常温导电材料层间是欧姆接触；所述常温导电材料层与顶电极、中间电极不接触； 所述铁电忆容器高低两种电容态的比值为1.5~4 :1； 所述半导体的厚度为500μm； 所述绝缘介质层的厚度为10~100 nm，室温下相对介电常数为4~20；所述绝缘介质层为二氧化硅、氮化硅、氧化铝或钛酸锶； 所述中间电极和顶电极的厚度都为20~60 nm，室温下电阻率小于0.001 Ω·cm；所述中间电极和顶电极为聚乙烯二氧噻吩、氧化铟锡、金、银、镍、铝或铬； 所述铁电层的厚度为15~120 nm，室温下相对介电常数为10~60； 所述铁电层为有机铁电聚合物、无机铁电材料、有机铁电共聚物或有机与无机材料形成的具有铁电性的复合材料。

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