西安微电子技术研究所李婷获国家专利权
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龙图腾网获悉西安微电子技术研究所申请的专利一种用于收发器的高耐压抗静电结构获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114050155B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-13发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111264689.5，技术领域涉及：H10D89/60；该发明授权一种用于收发器的高耐压抗静电结构是由李婷;徐晚成;曹天骄;袁昕;张曼;何杰;崔双韬;雷婉;杨靓;李海松设计研发完成，并于2021-10-28向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种用于收发器的高耐压抗静电结构在说明书摘要公布了：本发明提供一种用于收发器的高耐压抗静电结构，多个对应端口两侧均连接有高耐压二极管结构，端口均为仅一侧导通高耐压二极管结构的阳极，形成多个对应端口线路组，且每个对应端口线路组至少形成两条放电通道；通过反偏二极管和正偏二级管的组合，端口到端口之间至少存在两条放电通道，大幅度减小了单条放电通道的压力，满足超高电压静电放电要求，当端口到端口的其中一条放电通道负荷过重，另外一条放电通道负荷较轻，则均衡放电通道平衡器件被触发，承受电压过大的一侧，通过均衡放电通道平衡器件向负荷较轻的一侧分流，实现双侧均衡放电，双侧均衡放电技术，有效避免了单一通道放电负荷过大而另一通道负荷较小的放电不平衡问题，显著提升器件的抗静电特性。
本发明授权一种用于收发器的高耐压抗静电结构在权利要求书中公布了：1.一种用于收发器的高耐压抗静电结构，其特征在于，包括多个对应端口、高耐压二极管结构和均衡放电通道平衡器件； 所述多个对应端口两侧均连接有高耐压二极管结构，端口均为仅一侧导通高耐压二极管结构的阳极，形成多个对应端口线路组，且每个对应端口线路组至少形成两条放电通道，所述高耐压二极管结构包括依次串联的多个反偏二极管，所述串联的多个反偏二极管数量不少于六个； 所述对应端口线路组之间两两并联，用于均衡端口放电； 所述多个对应端口线路组共同并联有均衡放电通道平衡器件，所述均衡放电通道平衡器件包括多个依次串联的GGNMOS管，所述串联的GGNMOS管数量不少于9个。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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