长鑫存储技术有限公司陈予郎获国家专利权
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龙图腾网获悉长鑫存储技术有限公司申请的专利晶圆缺陷的溯源方法、装置、电子设备及计算机可读介质获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN114169286B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-13发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202010953000.9,技术领域涉及:G06F30/398;该发明授权晶圆缺陷的溯源方法、装置、电子设备及计算机可读介质是由陈予郎设计研发完成,并于2020-09-11向国家知识产权局提交的专利申请。
本晶圆缺陷的溯源方法、装置、电子设备及计算机可读介质在说明书摘要公布了:本公开涉及一种晶圆缺陷的溯源方法、装置、电子设备及计算机可读介质。该方法包括:获取晶圆的缺陷数据;获得所述晶圆的失效位元的位置数据;根据所述缺陷数据确定所述晶圆中存储块的缺陷面积;根据所述失效位元的位置数据确定所述晶圆中存储块的失效位元数量;对所述晶圆中每一存储块的所述缺陷面积和所述失效位元数量进行处理,获得关联系数;根据所述关联系数确定所述晶圆的失效位元的异常原因。本公开涉及的晶圆缺陷的溯源方法、装置、电子设备及计算机可读介质,能够实现缺陷的异常状态的源头追溯,提供了快速解决异常问题的有效方法,进而提高晶圆的良率。
本发明授权晶圆缺陷的溯源方法、装置、电子设备及计算机可读介质在权利要求书中公布了:1.一种晶圆缺陷的溯源方法,其特征在于,包括: 获取晶圆的缺陷数据; 获得所述晶圆的失效位元的位置数据; 根据所述缺陷数据确定所述晶圆中存储块的缺陷面积; 根据所述失效位元的位置数据确定所述晶圆中存储块的失效位元数量; 对所述晶圆中存储块的所述缺陷面积和所述失效位元数量进行处理,获得关联系数; 根据所述关联系数确定所述晶圆的失效位元的异常原因; 其中,对所述晶圆中存储块的所述缺陷面积和所述失效位元数量进行处理,获得关联系数包括: 根据所述缺陷数据获得所述晶圆的缺陷影响区域; 根据所述晶圆中存储块的缺陷面积和所述缺陷影响区域的面积的比值确定所述晶圆中存储块的缺陷面积指标; 根据所述晶圆中存储块的所述失效位元数量和所述缺陷影响区域的面积的比值确定所述晶圆中存储块的失效位元指标; 对所述晶圆中存储块的所述缺陷面积指标和相应的所述失效位元指标进行关联分析,获得所述关联系数。
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