华进半导体封装先导技术研发中心有限公司;上海先方半导体有限公司徐成获国家专利权
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龙图腾网获悉华进半导体封装先导技术研发中心有限公司;上海先方半导体有限公司申请的专利集成天线的多芯片系统及其制作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114267667B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-13发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111603700.6，技术领域涉及：H10W44/20；该发明授权集成天线的多芯片系统及其制作方法是由徐成;孙鹏设计研发完成，并于2021-12-24向国家知识产权局提交的专利申请。
本集成天线的多芯片系统及其制作方法在说明书摘要公布了：本发明提供了一种集成天线的多芯片系统及其制作方法，包括：多个叠层，被配置为容纳多个芯片、超细RDL转接板和多个金属支撑柱中的一种或多种，其中多个叠层之间沿厚度方向堆叠形成垂直互连结构；以及中间RDL层，被配置为作为多个叠层的分界面。
本发明授权集成天线的多芯片系统及其制作方法在权利要求书中公布了：1.一种集成天线的多芯片系统，其特征在于，包括： 多个叠层，被配置为容纳下列各项中的一个或多个：多个芯片、超细RDL转接板和多个金属支撑柱，其中在所述多个叠层之间沿厚度方向堆叠形成垂直互连结构；以及中间RDL层，被配置为充当所述多个叠层的分界面，其中所述多个叠层包括： 第一叠层，被配置为容纳多个芯片、第一超细RDL转接板和多个第一金属支撑柱； 第二叠层，被配置为容纳多个芯片、第二超细RDL转接板和多个第二金属支撑柱； 其中中间RDL层，被配置为作为第一叠层和第二叠层的分界面，与第一叠层的第一面和第二叠层的第一面贴合；以及外RDL层，被配置为容纳天线，且与第一叠层和或第二叠层连接，其中所述第一超细RDL转接板和第二超细RDL转接板垂直互连；所述第一超细RDL转接板和第二超细RDL转接板分别位于第一叠层和第二叠层的中心位置；多个芯片围绕所述第一超细RDL转接板和第二超细RDL转接板。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人华进半导体封装先导技术研发中心有限公司;上海先方半导体有限公司，其通讯地址为：214028 江苏省无锡市新区菱湖大道200号中国传感网国际创新园D1栋；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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