华南师范大学王幸福获国家专利权
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龙图腾网获悉华南师范大学申请的专利一种倒装GaN HEMT器件阵列的转移和异质集成方法及其器件阵列获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114334649B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-13发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111636734.5，技术领域涉及：H10D30/01；该发明授权一种倒装GaN HEMT器件阵列的转移和异质集成方法及其器件阵列是由王幸福;陈鑫;林雨田;董泽鑫设计研发完成，并于2021-12-29向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种倒装GaN HEMT器件阵列的转移和异质集成方法及其器件阵列在说明书摘要公布了：本发明涉及一种倒装GaNHEMT器件阵列的转移和异质集成方法及其器件阵列，该方法通过设置包含有重掺杂GaN牺牲层和阻断漏电流通路的高阻层的GaNHEMT器件阵列结构，在器件的表面覆盖钝化绝缘层保护器件，通过在钝化绝缘层上开设通孔暴露源漏和栅极进而通过键合金属将其键合至目标基底，进一步地结合特定的电化学腐蚀方法，将HEMT阵列从刚性衬底释放，实现了器件阵列的无损剥离，释放了材料内部的应力，有效的解决了缓冲层和衬底漏电的问题，极大的提升了HEMT器件的性能，为HEMT器件与目标基底的异构集成提供了新渠道，极大的拓宽了电子电力器件的使用范围。
本发明授权一种倒装GaN HEMT器件阵列的转移和异质集成方法及其器件阵列在权利要求书中公布了：1.一种倒装GaN HEMT器件阵列的转移和异质集成方法，其特征在于，包括以下步骤： 在生长衬底上依次外延生长包含重掺杂GaN牺牲层、p型GaN高阻层、AlGaNAlNGaN 目标层和帽层的外延叠层，所述重掺杂GaN牺牲层的厚度为300~400 nm，其掺杂浓度为1.0~
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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