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龙图腾网获悉比亚迪半导体股份有限公司申请的专利一种MOSFET及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114334652B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-13发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202011055266.8，技术领域涉及：H10D30/01；该发明授权一种MOSFET及其制造方法是由邱凯兵;钟树理;杨涛涛;卢汉汉设计研发完成，并于2020-09-29向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种MOSFET及其制造方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种MOSFET及其制造方法，制造方法包括：提供基底，在基底的表面上形成有掩膜层，掩膜层包括自下而上层叠的第一介质层和第二介质层，第一介质层和第二介质层为不同的材料层，在第一介质层中形成有第一开口，在第二介质层中形成有第二开口，第二开口露出第一开口，且第二开口的尺寸大于第一开口的尺寸，在基底与第一开口相对的区域内形成有掺杂区，其中，第一开口基于光刻和刻蚀工艺形成的；以第二介质层为掩膜，刻蚀第一介质层，以在第一介质层和第二介质层中形成第二开口；以第一介质层和第二介质层为掩膜，通过第二离子注入，在掺杂区的外侧形成阱区，其中阱区具有第一导电类型。

本发明授权一种MOSFET及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种MOSFET的制造方法，其特征在于，所述制造方法包括： 提供基底，在所述基底的表面上形成有掩膜层，所述掩膜层包括自下而上层叠的第一介质层、第二介质层和第三介质层，所述第一介质层和所述第二介质层为不同的材料层，所述第三介质层与所述第二介质层为不同的材料层，在所述第一介质层和第三介质层中形成有第一开口，在所述第二介质层中形成有第二开口，所述第二开口露出所述第一开口，且所述第二开口的尺寸大于所述第一开口的尺寸，其中，所述第二开口基于湿法刻蚀形成，所述湿法刻蚀对所述第二介质层的刻蚀速率大于对所述第一介质层以及对第三介质层的刻蚀速率，在所述基底与所述第一开口相对的区域内形成有掺杂区，其中，所述第一开口基于光刻和刻蚀工艺形成的； 去除所述第三介质层； 以所述第二介质层为掩膜，刻蚀所述第一介质层，以在所述第一介质层和所述第二介质层中形成所述第二开口； 以所述第一介质层和所述第二介质层为掩膜，通过第二离子注入，在所述掺杂区的外侧形成阱区，其中所述阱区具有第一导电类型。

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