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龙图腾网获悉西安电子科技大学申请的专利一种基于氧化腐蚀的增强型GaN PMOS器件及制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114334656B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-13发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111315948.2，技术领域涉及：H10D30/01；该发明授权一种基于氧化腐蚀的增强型GaN PMOS器件及制备方法是由张涛设计研发完成，并于2021-11-08向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种基于氧化腐蚀的增强型GaN PMOS器件及制备方法在说明书摘要公布了：本发明涉及一种基于氧化腐蚀的增强型GaNPMOS器件及制备方法，制备方法包括步骤：在衬底上依次生长成核层、GaN缓冲层、AlGaN背势垒层、GaN沟道层、p型AlGaN层和p型GaN帽层；将栅区域的p型GaN帽层刻蚀掉，露出p型AlGaN层；对露出的p型AlGaN层和p型GaN帽层进行选择性氧化，使得p型AlGaN层形成氧化AlGaN层；湿法腐蚀氧化AlGaN层以露出GaN沟道层，形成栅凹槽结构；在栅凹槽结构一侧的p型GaN帽层上制备源极，另一侧的p型GaN帽层上制备漏极；在源极、漏极、p型GaN帽层和栅凹槽结构的表面制备介质层；在介质层上制备栅极。该制备方法不仅在保证刻蚀深度的同时避免了过腐蚀，而且保护沟道不受等离子体刻蚀损伤，得到较好的表面形貌，降低表面态对沟道迁移率的影响。

本发明授权一种基于氧化腐蚀的增强型GaN PMOS器件及制备方法在权利要求书中公布了：1.一种基于氧化腐蚀的增强型GaN PMOS器件的制备方法，其特征在于，包括步骤： S1、在衬底上依次生长成核层、GaN缓冲层、AlGaN背势垒层、GaN沟道层、p型AlGaN层和p型GaN帽层；所述p型AlGaN层的材料为镁掺杂的AlGaN，所述p型GaN帽层的材料为镁掺杂的GaN；所述GaN沟道层的厚度为3‑5nm，所述p型GaN帽层的厚度为1‑3nm； S2、将栅区域的所述p型GaN帽层刻蚀掉，露出所述p型AlGaN层； S3、在温度为600‑700℃，氧气流量为3‑5Lmin的条件下，对露出的所述p型AlGaN层和所述p型GaN帽层进行选择性氧化，氧化时间为50‑70min，使得所述p型AlGaN层形成氧化AlGaN层； S4、采用腐蚀溶液湿法腐蚀所述氧化AlGaN层以露出所述GaN沟道层，形成栅凹槽结构； 所述腐蚀溶液包括KOH溶液、NaOH溶液、TMAH溶液中的一种或多种； S5、在所述栅凹槽结构一侧的所述p型GaN帽层上制备源极，另一侧的所述p型GaN帽层上制备漏极； S6、在所述源极、所述漏极、所述p型GaN帽层和所述栅凹槽结构的表面制备介质层； S7、在所述介质层上制备栅极，使得所述栅极位于所述栅凹槽结构中。

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