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龙图腾网获悉西安电子科技大学申请的专利一种基于新型欧姆再生长的GaN基器件及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114361031B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-13发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111397879.4，技术领域涉及：H10D30/01；该发明授权一种基于新型欧姆再生长的GaN基器件及其制备方法是由马晓华;祝杰杰;徐佳豪;郭静姝;刘思雨;宓珉瀚设计研发完成，并于2021-11-23向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种基于新型欧姆再生长的GaN基器件及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明提供的一种基于新型欧姆再生长的GaN基器件及其制备方法，通过在GaN帽层上外延一层AlN帽层，由于AlN相较于AlGaNAl组分变大，自终止刻蚀过程中更有利于AlF33的生成，能够有效提高自终止刻蚀的选择比，降低刻蚀对沟道中二维电子气的损伤，可以获得更大的输出电流。同时本发明将AlN作为刻蚀停止层，得到的刻蚀表面更加平坦，表面缺陷更少，进而减小器件的表面漏电。本发明相较于常规的无掩膜再生长，可以有效提高器件的可靠性，可以避免MOCVD高温外延过程掩膜的组分扩散和应力作用引起势垒层的退化；同时还保留了传统MBE再生长的优点，能够有效降低接触电阻，改善器件的直流特性。

本发明授权一种基于新型欧姆再生长的GaN基器件及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种基于新型欧姆再生长的GaN基器件的制备方法，其特征在于，包括： 步骤1：选取器件衬底； 步骤2：在所述衬底上自下而上依次外延生长成核层、缓冲层、势垒层、GaN帽层以及AlN帽层，形成GaN器件结构； 步骤3：在所述GaN器件结构上的欧姆再生长区域，采用干法刻蚀工艺自上而下进行刻蚀，去除欧姆再生长区域的AlN帽层、GaN帽层、势垒层以及部分缓冲层，以使缓冲层在欧姆再生长区域与中心区域呈现台阶结构； 其中，所述欧姆再生长区域为预先区域，缓冲层在欧姆再生长区域的下台阶面为第一表面；所述步骤3包括： 在步骤2之后形成样片依次进行前烘、甩胶以及烘胶； 通过光刻机对欧姆再生长区域进行曝光、后烘和显影； 去除欧姆再生长区域的光刻胶，并进行坚膜操作完成光刻； 利用ICP设备对光刻完成后的样片进行Cl基刻蚀，反应气体为BCl3和Cl2； 利用ICP机台，采用Cl基刻蚀工艺在所述GaN器件结构上的欧姆再生长区域自上而下进行刻蚀，去除欧姆再生长区域的AlN帽层、GaN帽层、势垒层以及部分缓冲层形成凹槽，以使缓冲层在欧姆再生长区域与中心区域呈现台阶结构； 刻蚀完成后，将样片依次放入丙酮、剥离液、丙酮和异丙醇中进行超声清洗，去除表面光刻胶； 使用超纯水冲洗去除表面光刻胶后的样片，并进行吹干； 其步骤4：在整片上外延生长n+InGaN层； 步骤5：采用自终止刻蚀去除欧姆区域以外的n+InGaN； 其中，欧姆区域为在欧姆再生长区域以及欧姆区域两侧延伸的部分区域形成区域； 步骤6：在欧姆再生长区域的n+InGaN层上沉积金属，制备源电极和漏电极； 步骤7：基于台面刻蚀，自上而下去欧姆再生长区域外侧的AlN帽层、GaN帽层、势垒层以及部分缓冲层，形成两侧为隔离区的器件； 其中，台面刻蚀后，缓冲层呈现三层台阶结构，最下层台阶上表面为第二表面； 步骤8：在器件表面沉积钝化层； 步骤9：采用干法刻蚀工艺去除源电极区域和漏电极区域覆盖的钝化层形成通孔； 步骤10：采用干法刻蚀工艺去除栅极区域的所述钝化层直至AlN帽层，形成栅极凹槽； 其中，栅极区域在源电极以及漏电极之间，不相邻的区域； 步骤11：在栅极凹槽淀积金属形成T型栅电极，完成基于新型欧姆再生长GaN基器件的制备过程。

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