意法半导体国际有限公司K·J·多里获国家专利权
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龙图腾网获悉意法半导体国际有限公司申请的专利用于调节静态随机存取存储器的保持电压的设备及其方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114388029B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-13发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111228805.8，技术领域涉及：G11C11/413；该发明授权用于调节静态随机存取存储器的保持电压的设备及其方法是由K·J·多里设计研发完成，并于2021-10-21向国家知识产权局提交的专利申请。
本用于调节静态随机存取存储器的保持电压的设备及其方法在说明书摘要公布了：本公开的实施例涉及用于调节静态随机存取存储器的保持电压的电路装置。本文中公开的一种静态随机存取存储器SRAM设备包括在第一电压与第二电压之间被供电的SRAM单元的阵列。参考电压生成器生成与绝对温度成比例的参考电压，所述参考电压的幅度曲线是基于控制字。低压降放大器将所述第二电压设置并维持为等于所述参考电压。控制电路装置基于关于所述SRAM设备的工艺变化信息来生成所述控制字。在一个实例中，所述控制电路装置监测报警位单元且增量所述控制字，从而增大所述参考电压的所述幅度曲线，直到所述报警位单元故障。在另一实例中，所述控制电路装置测量环形振荡器的振荡频率，并且基于所测量振荡频率来选择所述控制字。
本发明授权用于调节静态随机存取存储器的保持电压的设备及其方法在权利要求书中公布了：1.一种静态随机存取存储器SRAM设备，包括： SRAM单元的阵列，在保持模式中在第一电压与第二电压之间被供电； 参考电压生成器，被配置为生成与绝对温度成比例的参考电压，其中依据温度变化的所述参考电压的幅度曲线是基于控制字的； 电路，被配置为将所述第二电压设置并且维持为等于所述参考电压；以及控制电路装置，被配置为基于关于所述SRAM设备的信息来生成所述控制字。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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