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龙图腾网获悉台湾积体电路制造股份有限公司申请的专利形成半导体封装件的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114388374B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-13发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110409550.9，技术领域涉及：H10W70/05；该发明授权形成半导体封装件的方法是由陈威宇;裴浩然;郭炫廷;曹智强;余人睿;钟宇轩;张家纶;林修任;谢静华设计研发完成，并于2021-04-16向国家知识产权局提交的专利申请。

本形成半导体封装件的方法在说明书摘要公布了：形成半导体封装件的方法包括：在再分布结构上形成焊膏的区域，其中，焊膏具有第一熔化温度；在互连结构上形成焊料凸块，其中，焊料凸块具有大于第一熔化温度的第二熔化温度；将焊料凸块放置在焊膏的区域上；在第一回流温度下执行第一回流工艺第一持续时间，其中，第一回流温度小于第二熔化温度；以及在执行第一回流工艺之后，在第二回流温度下执行第二回流工艺第二持续时间，其中第二回流温度大于第二熔化温度。

本发明授权形成半导体封装件的方法在权利要求书中公布了：1.一种形成半导体封装件的方法，包括： 形成再分布结构，所述再分布结构包括位于所述再分布结构的第一侧上的第一金属化图案； 形成互连结构，所述互连结构包括位于所述互连结构的第一侧上的第二金属化图案； 将所述互连结构接合至所述再分布结构，包括： 在所述第一金属化图案上沉积焊膏，其中，所述焊膏是第一材料； 在所述第二金属化图案上形成焊料凸块，所述焊料凸块物理和电连接至所述第二金属化图案，其中，所述焊料凸块是不同于所述第一材料的第二材料，其中，形成所述焊料凸块包括执行第一回流工艺，从而产生所述焊料凸块； 将所述焊料凸块放置为与所述焊膏物理接触； 在使所述焊膏熔化并将所述焊膏转变成焊料支撑结构的第一温度下执行第二回流工艺，所述第二回流工艺通过所述焊料支撑结构将所述互连结构的焊料凸块物理耦合至所述再分布结构；和在执行所述第二回流工艺之后，在使所述焊料支撑结构熔化并且使所述焊料凸块一起熔化的第二温度下执行第三回流工艺，其中，所述第二温度大于所述第一温度，其中，所述第三回流工艺在所述第一金属化图案和所述第二金属化图案之间的形成连接件；以及在执行所述第三回流工艺之后，在所述再分布结构和所述互连结构之间沉积底部填充物。

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