无锡华润微电子有限公司马凤麟获国家专利权
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龙图腾网获悉无锡华润微电子有限公司申请的专利浅沟槽隔离结构及其制作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114429933B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-13发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202011180484.4，技术领域涉及：H10W10/17；该发明授权浅沟槽隔离结构及其制作方法是由马凤麟;于绍欣;金兴成;王志伟设计研发完成，并于2020-10-29向国家知识产权局提交的专利申请。
本浅沟槽隔离结构及其制作方法在说明书摘要公布了：本申请涉及一种浅沟槽隔离结构及其制作方法。其中，浅沟槽隔离结构包括：浅沟槽，位于衬底内；离子注入区，位于衬底内，且位于浅沟槽的底壁外围；隔离材料层和等离子体阻挡层，填充于浅沟槽内，且等离子体阻挡层位于离子注入区与隔离材料层之间。等离子体阻挡层可以有效阻止等离子体继续进入离子注入区，从而对离子注入区进行有效保护。因此，本申请可以有效保障离子注入区对漏电通道的阻断作用，进而防止半导体器件的产品良率随工艺节点减小而降低，从而有利于实现相关产品向更先进工艺节点迈进。
本发明授权浅沟槽隔离结构及其制作方法在权利要求书中公布了：1.一种浅沟槽隔离结构，其特征在于，包括： 浅沟槽，位于衬底内； 离子注入区，位于衬底内，且位于所述浅沟槽的底壁外围； 隔离材料层和等离子体阻挡层，填充于所述浅沟槽内，且所述等离子体阻挡层位于所述隔离材料层与所述浅沟槽的内壁之间；所述等离子体阻挡层于无偏置功率条件下形成； 所述等离子体阻挡层与所述隔离材料层于同一化学气相沉积设备内形成，形成所述等离子体阻挡层的气体分解功率小于形成所述隔离材料层的气体分解功率。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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