绍兴同芯成集成电路有限公司严立巍获国家专利权
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
龙图腾网获悉绍兴同芯成集成电路有限公司申请的专利一种半导体器件的制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114464544B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-13发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210021764.3，技术领域涉及：H10W95/00；该发明授权一种半导体器件的制备方法是由严立巍;符德荣;陈政勋设计研发完成，并于2022-01-10向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种半导体器件的制备方法在说明书摘要公布了：本发明提出了一种半导体器件的制备方法，包括：去除用于固定第一载盘和晶圆的聚亚酰胺；将晶圆从第一载盘转移至第二载盘；对晶圆的背面进行金属镀膜工艺；将晶圆的背面贴附至切割模框；在晶圆的正面采用蚀刻和激光工艺切割晶圆。根据本发明的半导体器件的制备方法，可以在第一载盘中完成晶圆正面元件的制备工艺，随后可以将晶圆转移至第二载盘，对背面晶圆进行金属镀膜工艺。当将晶圆转移至第二载盘时，晶圆正面的聚亚酰胺层可以起到缓冲保护晶圆的作用，在第二载盘的支撑下完成晶圆背面的金属镀膜工艺，随后再将晶圆背面贴附至切割模框，从晶圆的正面进行切割，制备方法合理高效，提高了晶圆的制备效率和加工质量。
本发明授权一种半导体器件的制备方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件的制备方法，其特征在于，包括： 晶圆完成正面元件的制备工艺，包括层间介质、金属块、金属层及聚亚酰胺层的制备； 去除用于固定第一载盘和晶圆的聚亚酰胺；在去除聚亚酰胺时，仅去除晶圆与第一载盘间隙间的封止区域部分处的聚亚酰胺； 将所述晶圆从所述第一载盘转移至第二载盘，包括：将所述第二载盘扣合至所述第一载盘上方；翻转扣合后的所述第一载盘和所述第二载盘，使所述晶圆在重力和聚亚酰胺附着力作用下转移至所述第二载盘；移除所述第一载盘； 对所述晶圆的背面进行金属镀膜工艺； 将所述晶圆的背面贴附至切割模框； 在所述晶圆的正面采用蚀刻和激光工艺切割所述晶圆，包括：采用蚀刻工艺切割层间介质和所述晶圆的硅基主体；采用激光工艺切割所述金属镀膜； 所述晶圆的正面具有聚亚酰胺层限定出的切割道，在所述晶圆的正面采用蚀刻和激光工艺切割所述晶圆时，依据所述切割道进行晶圆切割。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人绍兴同芯成集成电路有限公司，其通讯地址为：312000 浙江省绍兴市越城区银桥路326号1幢1楼113室；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
以上内容由龙图腾AI智能生成。
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号
请提出您的宝贵建议，有机会获取IP积分或其他奖励