联发科技(新加坡)私人有限公司段志刚获国家专利权
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龙图腾网获悉联发科技(新加坡)私人有限公司申请的专利半导体结构获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114496978B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-13发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111034193.9，技术领域涉及：H10W20/40；该发明授权半导体结构是由段志刚;陈京好设计研发完成，并于2021-09-03向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体结构在说明书摘要公布了：本发明公开一种半导体结构，包括：第一基板，包括布线结构；第一半导体晶粒和第二半导体晶粒，设置在该第一基板上；以及多端子多电容结构，设置于该第一基板上，该多端子多电容结构包括：第二基板；绝缘层，设置于该第二基板上方；第一多端子电容器，设置在该绝缘层上方并通过该布线结构电耦接到该第一半导体晶粒；以及第二多端子电容器，设置在该绝缘层上方并通过该布线结构电耦接到该第二半导体晶粒，其中该第一多端子电容器和该第二多端子电容器与该第二基板电隔离。本发明可以减少电容器所占用的空间，并且可以增加基板上保留的导电结构。因此本发明可以增加设计灵活性，并且可以更容易地设计。
本发明授权半导体结构在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构，其特征在于，包括： 第一基板，包括布线结构； 第一半导体晶粒和第二半导体晶粒，设置在该第一基板上；以及多端子多电容结构，设置于该第一基板上，该多端子多电容结构包括： 第二基板；绝缘层，设置于该第二基板上方；第一多端子电容器，设置在该绝缘层上方并通过该布线结构电耦接到该第一半导体晶粒；以及第二多端子电容器，设置在该绝缘层上方并通过该布线结构电耦接到该第二半导体晶粒，其中该第一多端子电容器和该第二多端子电容器与该第二基板电隔离； 该第一半导体晶粒与该第二半导体晶粒设置在该第一基板的第一表面之上，并且该多端子多电容结构设置在该第一基板的与该第一基板的该第一表面相对的第二表面之上，并且该第二基板是半导体基板。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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