美光科技公司B·P·沃兹获国家专利权
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龙图腾网获悉美光科技公司申请的专利清洁和处置微电子装置的方法以及相关工装和组件获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN114582749B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-13发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202110496133.2,技术领域涉及:H10P70/00;该发明授权清洁和处置微电子装置的方法以及相关工装和组件是由B·P·沃兹;A·M·贝利斯设计研发完成,并于2021-05-07向国家知识产权局提交的专利申请。
本清洁和处置微电子装置的方法以及相关工装和组件在说明书摘要公布了:本申请涉及清洁和处置微电子装置的方法以及相关工装和组件。一种用于处置半导体裸片的设备可包含一或多个喷嘴,所述一或多个喷嘴经配置以在至少一个半导体裸片上供应和抽吸流体。所述设备可包含拾取设备,所述拾取设备包括用于拾取所述至少一个半导体裸片的拾取头。所述一或多个喷嘴可经配置以清洁所述至少一个半导体裸片的表面、至少部分地移除所述至少一个半导体裸片与支撑元件之间的粘合剂,或这两者。
本发明授权清洁和处置微电子装置的方法以及相关工装和组件在权利要求书中公布了:1.一种处理微电子装置部件的方法,其包括: 在半导体裸片表面的一部分上供应流体; 从所述半导体裸片表面的另一部分抽吸所述流体; 在供应和抽吸所述流体之后从支撑元件提升所述半导体裸片; 在所述半导体裸片的相对表面的一部分上供应所述流体; 从所述半导体裸片的所述相对表面的另一部分抽吸所述流体; 将所述半导体裸片定位在另一微电子装置部件上;以及使所述半导体裸片的所述相对表面与所述支撑元件之间的粘合剂与流动到道中的所述流体接触,且利用所述流体溶解所述支撑元件与所述半导体裸片之间的所述粘合剂的至少一部分。
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