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龙图腾网获悉华为技术有限公司申请的专利一种功率半导体器件及电子设备获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114582864B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-13发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202011379684.2，技术领域涉及：H10D84/83；该发明授权一种功率半导体器件及电子设备是由王怀锋;张栋梁;杨成军;胡善柏设计研发完成，并于2020-11-30向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种功率半导体器件及电子设备在说明书摘要公布了：本申请提供了一种功率半导体器件及电子设备，功率半导体器件包括外延层以及两个场效应晶体管，外延层设置有一个沟槽，两个场效应晶体管镜像对称。每个场效应晶体管包括串联的第一MOS结构和第二MOS结构。第一MOS结构的第一沟道与第二MOS结构的第二沟道沿沟槽的深度方向间隔排列；第一MOS结构的第一栅极和第二MOS结构的第二栅极沿沟槽的深度方向间隔排列。在上述技术方案中，通过第一栅极和第二栅极沿所述沟槽深度方向纵向排布，从而减少场效应晶体管的横向占用的尺寸。第一MOS结构和第二MOS结构共享漂移区，降低了漂移区的电阻，并通过两个相同的场效应晶体管对称背靠背并联，降低了功率半导体器件单位面积特征导通电阻。

本发明授权一种功率半导体器件及电子设备在权利要求书中公布了：1.一种功率半导体器件，其特征在于，所述功率半导体器件包括第一掺杂类型外延层以及两个共漏型金属氧化物半导体场效应晶体管；所述第一掺杂类型外延层设置有一个沟槽； 每个共漏型金属氧化物半导体场效应晶体管包括沿所述沟槽深度方向排布的第一金属氧化物半导体结构和第二金属氧化物半导体结构； 所述第一金属氧化物半导体结构包括：设置在所述第一掺杂类型外延层内的第一沟道，与所述第一沟道连接的第一源极；所述第一源极及所述第一沟道位于所述沟槽的同一侧，所述第一源极与所述第一沟道连接；所述第一沟道为设置在所述第一掺杂类型外延层内的第二掺杂类型区； 所述第一金属氧化物半导体结构还包括设置在所述沟槽内且用于控制所述第一沟道导通的第一栅极； 所述第二金属氧化物半导体结构包括第二源极及第二沟道，所述第二源极设置在所述沟槽内且沿所述沟槽的所述深度方向延伸、并位于所述沟槽的槽底，所述第二沟道位于所述第一掺杂类型外延层内并与所述第二源极连接；所述第二沟道为设置在所述第一掺杂类型外延层内的第二掺杂类型区； 所述第二金属氧化物半导体结构还包括设置在所述沟槽内且用于控制所述第二沟道导通的第二栅极； 其中，所述第一沟道及所述第二沟道沿所述沟槽的深度方向间隔排列；所述第二栅极及所述第一栅极沿所述沟槽的深度方向间隔排列； 在所述第一栅极及所述第二栅极分别控制所述第一沟道和第二沟道导通时，电流沿所述第一源极、第一沟道、第一沟道及第二沟道之间的部分第一掺杂类型外延层、第二沟道、第二源极的排布方向或相反方向流通； 所述两个共漏型金属氧化物半导体场效应晶体管的第二源极共用，且所述两个共漏型金属氧化物半导体场效应晶体管的两个第一沟道分列在所述沟槽相对的两侧；两个所述第一源极分列在所述沟槽相对的两侧。

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