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龙图腾网获悉台湾积体电路制造股份有限公司申请的专利集成电路结构和用于形成存储器的多层互连结构的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114582874B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-13发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210058209.8，技术领域涉及：H10B10/00；该发明授权集成电路结构和用于形成存储器的多层互连结构的方法是由廖忠志设计研发完成，并于2022-01-19向国家知识产权局提交的专利申请。

本集成电路结构和用于形成存储器的多层互连结构的方法在说明书摘要公布了：本文的实施例公开了互连结构的金属层的配置，该配置可以提高存储器性能诸如静态随机存取存储器SRAM存储器性能和或逻辑性能。例如，本文的实施例将位线放置在金属一M1层中，M1层为存储器单元的互连结构的最下部金属化层级，以最小化位线电容，并且将位线配置为金属一层的最宽金属线以最小化位线电阻。在一些实施例中，互连结构具有双字线结构以降低字线电阻。在一些实施例中，互连结构具有双电压线结构以降低电压线电阻。在一些实施例中，向字线和或电压线添加割阶以降低其相应的电阻。在一些实施例中，互连结构的通孔形状配置为降低互连结构的电阻。本发明的实施例还涉及集成电路结构和用于形成存储器的多层互连结构的方法。

本发明授权集成电路结构和用于形成存储器的多层互连结构的方法在权利要求书中公布了：1.一种集成电路结构，包括： 存储器单元，连接至位线、反相位线、用于接收第一电压的第一电压线、字线和用于接收与所述第一电压不同的第二电压的第二电压线；以及互连结构，设置在所述存储器单元上方，其中： 所述互连结构包括所述位线、所述反相位线、所述第一电压线、所述字线和所述第二电压线，其中，所述位线、所述反相位线、所述第一电压线和所述第二电压线沿着第一纵向方向延伸，并且所述字线沿着与所述第一纵向方向不同的第二纵向方向延伸，所述互连结构具有最底部金属层，所述最底部金属层具有连接至所述存储器单元的金属线，其中，所述金属线包括所述位线、所述第一电压线、连接至所述第二电压线的电压线接合焊盘以及连接至所述字线的字线接合焊盘，并且其中，所述位线的宽度是所述金属线的最宽宽度，其中，所述最底部金属层是第一金属层，并且所述金属线是第一金属线，所述互连结构具有位于所述第一金属层上方的第二金属层和位于所述第二金属层上方的第三金属层，其中，所述第二金属层具有包括所述字线的第二金属线，并且所述第三金属层具有包括所述第二电压线的第三金属线，其中，所述字线是第一字线，所述字线接合焊盘是第一字线接合焊盘，所述第三金属层的所述第三金属线包括连接至所述第一字线的第二字线接合焊盘，所述互连结构具有位于所述第三金属层上方的第四金属层，并且所述第四金属层具有包括第二字线的第四金属线，其中，所述第二字线连接至所述第二字线接合焊盘。

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