西安电子科技大学袁昊获国家专利权
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
龙图腾网获悉西安电子科技大学申请的专利具有P型变掺杂基区的碳化硅功率DAS器件及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114582953B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-13发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210108876.2，技术领域涉及：H10D62/10；该发明授权具有P型变掺杂基区的碳化硅功率DAS器件及其制备方法是由袁昊;周瑜;宋庆文;汤晓燕;张玉明设计研发完成，并于2022-01-28向国家知识产权局提交的专利申请。
本具有P型变掺杂基区的碳化硅功率DAS器件及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明提供的一种具有P型变掺杂基区的碳化硅功率DAS器件及其制备方法，制备出的具有P型变掺杂基区的碳化硅功率DAS器件包括p+外延层1、P‑基区2、N+衬底3、钝化层4、背部电极5以及正面电极6；本发明P‑基区2使用纵向变掺杂基区，可以降低P‑N+结处P‑基区的掺杂浓度，提高基区电场纵向均匀性，提高器件雪崩开启速度。同时提高P+P‑结处P‑基区的掺杂浓度，降低器件负角处的浓度梯度，抑制表面电场，提高器件的工作可靠性。
本发明授权具有P型变掺杂基区的碳化硅功率DAS器件及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种具有P型变掺杂基区的碳化硅功率DAS器件，其特征在于，包括： p+外延层1、P‑基区2、N+衬底3、钝化层4、背部电极5以及正面电极6； 所述P‑基区2位于所述N+衬底3之上，所述P‑基区2的掺杂浓度靠近N+衬底3一侧低于靠近p+外延层1一侧；所述p+外延层1位于所述P‑基区2之上，所述正面电极6位于所述p+外延层1之上；所述p+外延层1、P‑基区2以及N+衬底3呈梯形台阶结构；所述钝化层4自上而下包裹所述p+外延层1、P‑基区2以及N+衬底3呈梯形台阶结构外围，且露出所述梯形台阶结构上表面的正面电极6；所述N+衬底3外侧设置有台阶面，所述台阶面使N+衬底3上部分呈梯形，下部分呈矩形；所述背部电极5位于所述矩形下表面，所述钝化层4包裹N+衬底3上部分以及台阶面；所述P‑基区2的掺杂浓度由下而上依次递增，呈梯度变化或连续变化的高斯分布。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人西安电子科技大学，其通讯地址为：710000 陕西省西安市雁塔区太白南路2号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
以上内容由龙图腾AI智能生成。
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号
请提出您的宝贵建议，有机会获取IP积分或其他奖励