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龙图腾网获悉西安交通大学申请的专利基于导电金属带的宽禁带半导体双面散热模块封装结构获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114649279B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-13发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210269699.6，技术领域涉及：H10W40/22；该发明授权基于导电金属带的宽禁带半导体双面散热模块封装结构是由王来利;熊帅;张彤宇设计研发完成，并于2022-03-18向国家知识产权局提交的专利申请。

本基于导电金属带的宽禁带半导体双面散热模块封装结构在说明书摘要公布了：本发明公开了一种基于导电金属带的宽禁带半导体双面散热模块封装结构，不同桥臂的半导体功率芯片设置于不同的功率衬底上，减小模块的体积，极大提高了模块功率密度；功率垫片设置于顶部、底部功率衬底之间，起机械支撑和电气连接作用，在双面散热的基础上为每一个半导体功率芯片提供额外的散热路径，降低芯片之间热耦合程度，达到芯片均温效果，同时改善芯片散热环境；驱动回路与换流回路近于在空间上近于垂直，回路之间电磁耦合程度得到极大降低，模块可靠性得到进一步提升；换流回路使用导电金属带完成芯片所须的电气连接，模块寄生电感数值极大减小，其中源极导电金属带于连接处开有孔槽，可以使寄生电感分布均匀度得到提升，达到芯片均流效果。

本发明授权基于导电金属带的宽禁带半导体双面散热模块封装结构在权利要求书中公布了：1.一种基于导电金属带的宽禁带半导体双面散热模块封装结构，其特征在于，包括顶部功率衬底100和底部功率衬底200，顶部功率衬底100和底部功率衬底200之间设置有功率垫片，顶部功率衬底100和底部功率衬底200分别连接有功率端子，功率端子与底部功率衬底200之间，以及功率端子与底部功率衬底200之间均设置有宽禁带功率半导体芯片400，宽禁带功率半导体芯片400通过导电金属带分别于底部功率衬底200的上表面金属区域以及顶部功率衬底100的下表面金属区域连接，底部功率衬底200的上表面金属区域与驱动端子的上桥臂驱动端子连接，顶部功率衬底100的下表面金属区域与驱动端子的下桥臂驱动端子连接，底部功率衬底200从上到下依次包括底部上表面金属层201、底部绝缘介质层202和底部下表面金属层203，底部上表面金属层201依次设置有底部第一金属区域221、底部第二金属区域222、底部第三金属区域223以及底部第四金属区域224，底部第三金属区域223为开尔文源极金属区域； 上桥臂驱动端子包括底部第一栅极驱动端子212、底部第一源极驱动端子213、底部第二栅极驱动端子214以及底部第二源极驱动端子215；底部第一栅极驱动端子212和底部第二栅极驱动端子214设置在底部第二金属区域222的两端，底部第一源极驱动端子213和底部第二源极驱动端子215设置在底部第三金属区域223的两端； 顶部功率衬底100从上到下依次包括顶部上表面金属层101、顶部绝缘介质层102和顶部下表面金属层103，顶部下表面金属层103上依次设置有顶部第一金属区域121、顶部第二金属区域122、顶部第三金属区域123、顶部第四金属区域124以及顶部第五金属区域125，顶部第二金属区域122连接直流侧功率垫片301，顶部第三金属区域123为开尔文源极金属区域； 下桥臂驱动端子包括第一下桥臂栅极驱动端子112、第一下桥臂源极驱动端子211、第二下桥臂栅极驱动端子114以及第二下桥臂源极驱动端子115；第一下桥臂栅极驱动端子112和第二下桥臂栅极驱动端子114设置在顶部第四金属区域124的两端，第一下桥臂源极驱动端子211和第二下桥臂源极驱动端子115设置在顶部第三金属区域123的两端。

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