深圳市达则科技有限责任公司沈传魁获国家专利权
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龙图腾网获悉深圳市达则科技有限责任公司申请的专利一种基于存储记忆材料的电磁信息调控装置及其制造流程与控制方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114662385B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-13发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210238437.3，技术领域涉及：G06F30/27；该发明授权一种基于存储记忆材料的电磁信息调控装置及其制造流程与控制方法是由沈传魁;王云征;续丽媛设计研发完成，并于2022-03-11向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种基于存储记忆材料的电磁信息调控装置及其制造流程与控制方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种基于存储记忆材料的电磁信息调控装置及其制造流程与控制方法。所述基于存储记忆材料的电磁信息调控装置包括介质基板、射频开关组件、RIS单元和射频控制芯片；所述射频开关组件包括存储记忆材料、金属走线和电极；所述电极包括射频电极和控制电极；所述射频电极通过金属走线与所述存储记忆材料直接连接，所述射频电极还通过金属键合线连接RIS单元引线位置和电抗元件；所述控制电极的输出端使用金属走线互联，所述金属走线通过绝缘层间接连接存储记忆材料。该装置将具有存储记忆功能的材料，取代传统的二极管或者移相器中的开关，实现的电磁信息调控装置具有更轻薄、易于安装、节能环保、维护费用低、便于大规模普及使用的优点。
本发明授权一种基于存储记忆材料的电磁信息调控装置及其制造流程与控制方法在权利要求书中公布了：1.一种基于存储记忆材料的电磁信息调控装置，其特征在于，包括介质基板、射频开关组件、RIS单元和射频控制芯片；所述射频开关组件包括生长在晶圆基底上的存储记忆材料、金属走线和电极；所述电极包括射频电极和控制电极；所述射频电极的输出端通过金属走线与所述存储记忆材料直接连接，所述射频电极的输入端通过金属键合线连接RIS单元引线位置和电抗元件；所述控制电极的输出端通过金属走线互联，控制电极的输入端与射频控制芯片的输出端口和地连接；所述射频控制芯片的天线收发端口连接有天线；所述存储记忆材料为相变材料GeTe。
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