美光科技公司S·K·乌帕德亚尤拉获国家专利权
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龙图腾网获悉美光科技公司申请的专利增强半导体装置封装以及相关系统和方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114695281B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-13发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111632569.6，技术领域涉及：H10W74/43；该发明授权增强半导体装置封装以及相关系统和方法是由S·K·乌帕德亚尤拉;王尧传;黄宏远设计研发完成，并于2021-12-29向国家知识产权局提交的专利申请。
本增强半导体装置封装以及相关系统和方法在说明书摘要公布了：本申请涉及增强半导体装置封装及相关系统和方法。提供了用于具有增强封装的半导体装置的系统和方法。所述装置通常包含衬底和通过焊线电耦合到所述衬底的一或多个集成电路裸片。所述装置包含包封一或多个裸片和所述焊线的密封剂。所述封装可以包含位于所述密封剂的一或多个表面上的增强层、延伸穿过所述密封剂的增强线或位于整个所述密封剂中的夹带的增强纤维部分。所述增强层可以是由诸如芳族聚酰胺、碳或玻璃的合成或天然纤维编织的纺织物。所述封装可以通过将增强纺织物层设置在模具中、用液体密封剂将裸片和衬底放置在所述模具中，并且硬化所述液体密封剂以将所述增强纺织物层、所述密封剂、所述裸片和所述衬底粘附在一起而形成。
本发明授权增强半导体装置封装以及相关系统和方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体装置，包括： 具有正面的衬底，所述正面具有衬底触点； 附接到所述衬底的所述正面的裸片； 将所述裸片的接合焊盘电耦合到所述衬底触点的焊线； 包封所述裸片和所述焊线的密封剂；以及在所述密封剂的至少一部分上延伸的增强纺织物层，其中所述增强纺织物层延伸跨过所述密封剂的上表面。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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