广州华星光电半导体显示技术有限公司冯雷雷获国家专利权
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龙图腾网获悉广州华星光电半导体显示技术有限公司申请的专利阵列基板及其制备方法、显示面板获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN114709173B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-13发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202210328409.0,技术领域涉及:H10D86/01;该发明授权阵列基板及其制备方法、显示面板是由冯雷雷;李珊设计研发完成,并于2022-03-30向国家知识产权局提交的专利申请。
本阵列基板及其制备方法、显示面板在说明书摘要公布了:本申请提供一种阵列基板及其制备方法、显示面板,通过在衬底基板的有源区涂覆第一墨水以形成有源层图案,并在有源层图案上对应沟道区的位置涂覆第二墨水以形成保护层图案,然后对有源层图案和保护层图案进行固化成膜,使有源层图案形成有源层,保护层图案形成保护层,如此把保护层设置在所述有源层的沟道区,对有源层的沟道区进行保护,以缓解现有金属氧化物存在的被腐蚀污染的问题。
本发明授权阵列基板及其制备方法、显示面板在权利要求书中公布了:1.一种阵列基板制备方法,其特征在于,包括: 提供衬底基板,并在所述衬底基板上定义出有源区和沟道区,所述沟道区位于所述有源区内; 在所述有源区涂覆第一墨水以形成有源层图案; 在所述沟道区涂覆第二墨水以形成保护层图案; 对所述有源层图案和所述保护层图案进行固化成膜,使所述有源层图案形成有源层,所述保护层图案形成保护层; 所述在所述有源区涂覆第一墨水以形成有源层图案的步骤,包括: 制作金属盐溶液以形成所述第一墨水; 所述在所述沟道区涂覆第二墨水以形成保护层图案的步骤,包括: 把SiS2粉末溶于有机溶剂中形成所述第二墨水; 所述对所述有源层图案和所述保护层图案进行固化成膜,使所述有源层图案形成有源层,所述保护层图案形成保护层的步骤,包括: 将形成有所述有源层图案和所述保护层图案的所述衬底基板送入烘干炉内进行烘干,同步进行抽气,使所述金属盐溶液中的溶剂挥发形成金属氧化物半导体层作为所述有源层,同时所述第二墨水中SiS2与溶液中的水气反应形成SiO2,以在所述有源层的表面形成所述保护层。
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