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龙图腾网获悉中国科学院微电子研究所申请的专利一种半导体器件的制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114709175B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-13发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210224579.4，技术领域涉及：H10D84/01；该发明授权一种半导体器件的制造方法是由李永亮;贾晓锋;殷华湘;罗军;王文武设计研发完成，并于2022-03-09向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种半导体器件的制造方法在说明书摘要公布了：本发明公开一种半导体器件的制造方法，涉及半导体技术领域，以在去除对应第一区域上的第一栅极时，防止对应第二区域上的第一栅极遭到破坏。所述半导体器件的制造方法包括：在衬底具有的第一区域上形成至少一层第一纳米线或片、以及在衬底具有的第二区域上形成至少一层第二纳米线或片。形成第一掩膜层和第二掩膜层。第一掩膜层至少填充在空隙内。第二掩膜层覆盖在第二区域上。第一掩膜层和第二掩膜层的刻蚀选择比大于预设阈值。在第二掩膜层的掩膜作用下，去除第一掩膜层对应第一区域的部分，并去除对应第一区域上的第一栅极。至少在位于至少一层第一纳米线或片外周的第一栅介质层上形成第二栅极，第二栅极和第一栅极所含有的材料和或厚度不同。

本发明授权一种半导体器件的制造方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件的制造方法，其特征在于，包括： 提供一衬底；所述衬底具有第一区域和第二区域； 在所述第一区域上形成第一环栅晶体管包括的至少一层第一纳米线或片、以及在所述第二区域上形成第二环栅晶体管包括的至少一层第二纳米线或片；环绕所述至少一层第一纳米线或片和所述至少一层第二纳米线或片的外周、以及所述衬底上均依次形成有第一栅介质层和第一栅极；沿着衬底的厚度方向，至少部分相邻两层所述第一栅极之间具有空隙； 形成覆盖在所述第一区域和所述第二区域上、以及填充在所述空隙内的第一掩膜材料层； 选择性去除所述第一掩膜材料层覆盖在所述第二区域上的部分，使得所述第一掩膜材料层剩余的部分形成第一掩膜层； 形成覆盖在所述第一掩膜层和所述第二区域上的第二掩膜材料层； 对所述第二掩膜材料层进行回刻处理，直至所述第二掩膜材料层的顶部与所述第一掩膜层覆盖在所述第一区域上的部分的顶部平齐，使得剩余的第二掩膜材料层形成第二掩膜层；所述第一掩膜层和所述第二掩膜层的刻蚀选择比大于预设阈值； 在所述第二掩膜层的掩膜作用下，去除所述第一掩膜层对应所述第一区域的部分；并去除对应所述第一区域上的所述第一栅极； 至少在位于所述至少一层第一纳米线或片外周的所述第一栅介质层上形成第二栅极，所述第二栅极和所述第一栅极所含有的材料和或厚度不同。

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