洛克利光子有限公司A·斯科菲尔德获国家专利权
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龙图腾网获悉洛克利光子有限公司申请的专利光调制器和制造光调制器的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114730104B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-13发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202080074662.7，技术领域涉及：G02F1/025；该发明授权光调制器和制造光调制器的方法是由A·斯科菲尔德设计研发完成，并于2020-08-25向国家知识产权局提交的专利申请。
本光调制器和制造光调制器的方法在说明书摘要公布了：一种MOS电容器型光调制器，包括：绝缘体上硅SOI衬底；第一掺杂区，所述第一掺杂区在所述SOI衬底的硅器件层中；以及第二掺杂区，所述第二掺杂区与所述第一掺杂区由竖直地延伸的绝缘体层横向地分离以形成横向MOS电容器区。所述第一掺杂区、所述第二掺杂区和所述绝缘体层由不同的材料形成。
本发明授权光调制器和制造光调制器的方法在权利要求书中公布了：1.一种MOS电容器型光调制器，所述MOS电容器型光调制器包括： 绝缘体上硅SOI衬底，所述SOI衬底包括硅基层、掩埋二氧化硅层和硅器件层，其中在所述硅器件层中蚀刻到达所述掩埋二氧化硅层的沟槽；以及波导结构，所述波导结构包括横向MOS电容器区，光模在所述横向MOS电容器区进行传播，所述横向MOS电容器区包括： 第一掺杂区，所述第一掺杂区在所述SOI衬底的所述硅器件层中；以及第二掺杂区，其中所述第一掺杂区、所述第二掺杂区和绝缘体层由不同的材料形成，其中，所述绝缘体层处于所述硅器件层的顶部上且处于所述硅器件层的所述沟槽中，并且所述绝缘体层具有由在所述第一掺杂区的顶部上且与所述硅器件层邻接而水平地延伸的第一部分、竖直地延伸的第二部分和在所述第二掺杂区的下方、在掩埋二氧化硅层的顶部上且与所述掩埋二氧化硅层邻接而水平地延伸的第三部分形成的Z形状，其中，所述第一掺杂区通过所述绝缘体层的所述第一部分与所述第二掺杂区竖直地隔开，并且通过所述绝缘体层的所述第二部分与所述第二掺杂区横向地分离以形成所述横向MOS电容器区。
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