买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！

龙图腾网获悉株式会社电装申请的专利开关元件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114762128B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-13发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201980102398.0，技术领域涉及：H10D30/63；该发明授权开关元件是由斋藤顺;阴泳信;片冈惠太;山下侑佑;渡边行彦;朽木克博设计研发完成，并于2019-11-22向国家知识产权局提交的专利申请。

本开关元件在说明书摘要公布了：开关元件具备设置有沟槽的半导体基板、栅极绝缘膜以及栅极电极。半导体基板具有源极区、体区、漂移区、第一电场缓和区以及连接区。漂移区在体区的下侧的沟槽的侧面及沟槽的底面与栅极绝缘膜相接。第一电场缓和区被配置于漂移区的内部，与沟槽的底面隔开间隔地被配置于沟槽的下部，沿着沟槽的底面延伸。连接区以到达第一电场缓和区的方式从体区向下侧突出，在从上方俯视时，在与沟槽交叉的方向上较长地延伸。在将连接区的介电常数设为εFcm、将连接区的临界电场强度设为EcVcm、将元电荷设为eC、将从上方俯视位于沟槽的下部的连接区时的p型杂质的面密度设为Qcm‑2‑2时，满足Qε·Ece。

本发明授权开关元件在权利要求书中公布了：1.一种开关元件，其特征在于，具备： 半导体基板，在上表面设置有沟槽； 栅极绝缘膜，覆盖所述沟槽的内表面；以及栅极电极，被配置于所述沟槽内，通过所述栅极绝缘膜而与所述半导体基板绝缘，所述半导体基板具有： n型的源极区，在所述沟槽的侧面与所述栅极绝缘膜相接； p型的体区，在所述源极区的下侧的所述侧面与所述栅极绝缘膜相接； n型的漂移区，被配置于所述体区的下侧，在所述体区的下侧的所述侧面与所述栅极绝缘膜相接，在所述沟槽的底面与所述栅极绝缘膜相接； p型的第一电场缓和区，被配置于所述漂移区的内部，与所述沟槽的所述底面隔开间隔地被配置于所述沟槽的下部，沿着所述沟槽的所述底面延伸；以及p型的连接区，以到达所述第一电场缓和区的方式从所述体区向下侧突出，在从上方俯视时，在与所述沟槽交叉的方向上伸长，在将所述连接区的介电常数设为εFcm、将所述连接区的临界电场强度设为EcVcm、将元电荷设为eC、将从上方俯视位于所述沟槽的下部的所述连接区时的p型杂质的面密度设为Qcm‑2时，满足Qε·Ece，所述连接区的p型杂质浓度高于所述第一电场缓和区的p型杂质浓度，所述开关元件还具备设置于所述半导体基板的所述上表面的源极电极，所述体区具有： 接触区，其与所述源极电极欧姆接触；以及主体区，其p型杂质浓度低于所述接触区的p型杂质浓度，该主体区从下侧与所述源极区及所述接触区相接，且在所述源极区的下侧与所述栅极绝缘膜相接，所述连接区从所述主体区向下侧突出，所述连接区的p型杂质浓度比所述主体区的p型杂质浓度高。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人株式会社电装，其通讯地址为：日本爱知县；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

以上内容由龙图腾AI智能生成。