爱思开海力士有限公司孙晧荣获国家专利权
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龙图腾网获悉爱思开海力士有限公司申请的专利包括贯通电极的半导体芯片和包括其的半导体封装获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114765161B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-13发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111049634.2，技术领域涉及：H10W70/65；该发明授权包括贯通电极的半导体芯片和包括其的半导体封装是由孙晧荣设计研发完成，并于2021-09-08向国家知识产权局提交的专利申请。
本包括贯通电极的半导体芯片和包括其的半导体封装在说明书摘要公布了：本申请涉及包括贯通电极的半导体芯片和包括其的半导体封装。根据实施方式的半导体芯片包括：具有前表面和后表面的主体部分，该主体部分按照后表面在前表面上方的方式取向；穿透主体部分的第一贯通电极和第二贯通电极，其具有突出到主体部分的后表面上方的突起；形成在主体部分的前表面下方的布线部分；形成在主体部分的后表面上方并且与所述突起间隔开的电源图案；填充电源图案与所述突起之间的空间的层间绝缘层；以及形成在层间绝缘层上方并且分别连接到第一贯通电极和第二贯通电极的第一后连接电极和第二后连接电极，其中，第一后连接电极同时连接到第一贯通电极和电源图案的与第一贯通电极相邻的一部分。
本发明授权包括贯通电极的半导体芯片和包括其的半导体封装在权利要求书中公布了：1.一种半导体芯片，该半导体芯片包括： 主体部分，该主体部分具有前表面和后表面，该主体部分按照所述后表面在所述前表面上方的方式取向； 第一贯通电极和第二贯通电极，所述第一贯通电极和所述第二贯通电极穿透所述主体部分，并且具有突出到所述主体部分的所述后表面上方的突起； 电源图案，该电源图案形成在所述主体部分的所述后表面上方并且与所述突起间隔开； 层间绝缘层，该层间绝缘层填充所述电源图案与所述突起之间的空间；以及第一后连接电极和第二后连接电极，所述第一后连接电极和所述第二后连接电极形成在所述层间绝缘层上方并且分别连接到所述第一贯通电极和所述第二贯通电极，其中，所述第一后连接电极同时连接到所述第一贯通电极和所述电源图案的与所述第一贯通电极相邻的一部分，其中，所述第二后连接电极未连接到所述电源图案。
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