买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！

龙图腾网获悉天津环鑫科技发展有限公司申请的专利一种IGBT器件的制备工艺获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114823333B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-13发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210343230.2，技术领域涉及：H10D12/01；该发明授权一种IGBT器件的制备工艺是由王万礼;刘丽媛;张新玲;陈海洋;徐长坡设计研发完成，并于2022-04-02向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种IGBT器件的制备工艺在说明书摘要公布了：本发明提供一种IGBT器件的制备工艺，在衬底上进行沟槽刻蚀后，进行多晶硅掺杂、刻蚀，形成平面栅区域，平面栅区域形成后，进行P阱及N阱注入。本发明的有益效果是采用平面栅结构和沟槽栅结构的混合结构，在保证器件静态参数基本不变的情况下达到更高的耐短路能够力和更加优化的动态特性。

本发明授权一种IGBT器件的制备工艺在权利要求书中公布了：1.一种IGBT器件的制备工艺，其特征在于：在衬底上进行沟槽刻蚀后，进行多晶硅掺杂、刻蚀，形成平面栅区域，所述平面栅区域形成后，进行P阱及N阱注入，在所述衬底的正面上形成平面栅结构和多个沟槽栅结构，多个所述沟槽栅结构设于所述平面栅结构的两侧； 所述在衬底上进行沟槽刻蚀步骤中，进行沟槽刻蚀及栅极氧化，形成沟槽，并在沟槽侧壁及顶部平面部分形成栅极氧化层，包括以下步骤： 进行第一介质层沉积：在所述衬底上沉积一层第一介质层； 沟槽层光刻：在所述第一介质层上进行涂胶、曝光、显影，形成沟槽区域； 对所述第一介质层进行刻蚀，去除所述沟槽区域的第一介质层； 去除所述沟槽层光刻时的光刻胶； 进行沟槽刻蚀； 去除所述第一介质层； 进行栅极氧化，形成所述栅极氧化层； 所述进行沟槽刻蚀步骤中，刻蚀深度为1um‑10um，沟槽侧壁角度为85°‑95°； 所述进行栅极氧化，形成所述栅极氧化层步骤中，通过热氧化方式或CVD方式形成所述栅极氧化层，所述栅极氧化层厚度为200‑5000A； 所述进行多晶硅掺杂、刻蚀，形成平面栅区域的步骤中，包括以下步骤： 进行多晶硅沉积、掺杂，形成多晶硅栅； 对所述多晶硅栅进行光刻：依次进行涂胶、曝光、显影，形成平面栅区域； 对所述多晶硅栅进行刻蚀，去除平面部分的暴露的多晶硅； 去除光刻胶； 所述进行多晶硅沉积、掺杂，形成多晶硅栅步骤中，通过CVD方式进行多晶硅的沉积、掺杂，多晶硅沉积厚度为3000‑20000A，掺杂浓度为1E16‑1E22 cm‑3； 所述沟槽栅结构中的栅极氧化层的厚度与所述平面栅结构中的栅极氧化层的厚度不同。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人天津环鑫科技发展有限公司，其通讯地址为：300384 天津市滨海新区华苑产业区(环外)海泰东路12号A座二层；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

以上内容由龙图腾AI智能生成。