西安电子科技大学杨凌获国家专利权
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龙图腾网获悉西安电子科技大学申请的专利基于P型岛和超结结构的混合PIN肖特基二极管及制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114823925B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-13发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210192802.1，技术领域涉及：H10D8/50；该发明授权基于P型岛和超结结构的混合PIN肖特基二极管及制备方法是由杨凌;武玫;王平;侯斌;张濛;宓珉瀚;朱青;马晓华;郝跃设计研发完成，并于2022-02-28向国家知识产权局提交的专利申请。
本基于P型岛和超结结构的混合PIN肖特基二极管及制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种基于P型岛和超结结构的混合PIN肖特基二极管及其制备方法，该二极管自下而上依次包括：阴极、n++‑Ga22O33衬底层、n‑‑‑Ga22O33漂移层、阳极，其中，n‑‑‑Ga22O33漂移层和阳极接触面上设有若干重掺杂P型岛；重掺杂P型岛下方对应设有若干轻掺杂P型区，以与n‑‑‑Ga22O33漂移层形成超结结构；其中，重掺杂P型岛和轻掺杂P型区均采用氮化镓材料。本发明提供的基于P型岛和超结结构的混合PIN肖特基二极管采用了若干重掺杂P型岛结构，并在其下方引入了轻掺杂P型区域，形成超结结构，通过耗尽肖特基接触区域下方的电子，降低了器件反向泄漏电流，增加了器件击穿电压，同时以P型GaN作为重掺杂P型岛和轻掺杂P型区的材料规避了P型Ga22O33制备困难的问题。
本发明授权基于P型岛和超结结构的混合PIN肖特基二极管及制备方法在权利要求书中公布了：1.一种基于P型岛和超结结构的混合PIN肖特基二极管，其特征在于，自下而上依次包括：阴极1、n+‑Ga2O3衬底层2、n‑‑Ga2O3漂移层3、阳极4，其中，所述n‑‑Ga2O3漂移层3和所述阳极4接触面上设有若干重掺杂P型岛5；所述重掺杂P型岛5为梯形结构；所述重掺杂P型岛5的掺杂离子为Mg离子，掺杂浓度为1×1018～1×1019cm‑3； 所述重掺杂P型岛5下方对应设有若干轻掺杂P型区6，以与所述n‑‑Ga2O3漂移层3形成超结结构；所述轻掺杂P型区6为多阶斜槽形结构，且每一阶斜槽的倾斜角自上而下依次减小；所述轻掺杂P型区6的掺杂离子为Mg离子，掺杂浓度为1×1016～1×1018cm‑3； 所述重掺杂P型岛5和所述轻掺杂P型区6均采用氮化镓材料。
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