台湾积体电路制造股份有限公司张宇行获国家专利权
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龙图腾网获悉台湾积体电路制造股份有限公司申请的专利集成电路芯片及其形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114824121B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-13发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110894980.4，技术领域涉及：H10K59/121；该发明授权集成电路芯片及其形成方法是由张宇行设计研发完成，并于2021-08-05向国家知识产权局提交的专利申请。
本集成电路芯片及其形成方法在说明书摘要公布了：本发明的各个实施例涉及集成电路IC芯片，包括显示器像素，其中，底部电极与反射器是分开的并且相接。发光器件置于反射器的上面，并且顶部电极置于发光器件的上面。耦合结构从底部电极沿着反射器的一侧延伸到发光器件和反射器之间的界面以将底部电极电耦合到发光器件。本发明的实施例还涉及另一种集成电路芯片及其形成方法。
本发明授权集成电路芯片及其形成方法在权利要求书中公布了：1.一种集成电路IC芯片，包括显示器像素，其中，所述显示器像素包括： 底部电极； 反射器，与所述底部电极相接； 发光器件，置于所述反射器的上面； 顶部电极，置于所述发光器件的上面；以及耦合结构，从所述底部电极沿着所述反射器的一侧延伸至所述发光器件和所述反射器之间的界面，以将所述底部电极电耦合至所述发光器件，其中，所述耦合结构位于所述反射器的单侧，并且凹进至所述发光器件的底部，使得所述发光器件从所述耦合结构的侧壁至所述耦合结构的顶表面包裹所述耦合结构的顶角。
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