东京毅力科创株式会社渡边要介获国家专利权
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龙图腾网获悉东京毅力科创株式会社申请的专利碳膜的成膜方法和成膜装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114855150B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-13发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210102475.6，技术领域涉及：C23C16/46；该发明授权碳膜的成膜方法和成膜装置是由渡边要介;千田翔太设计研发完成，并于2022-01-27向国家知识产权局提交的专利申请。
本碳膜的成膜方法和成膜装置在说明书摘要公布了：本发明涉及碳膜的成膜方法和成膜装置。使用卤素作为催化剂的低温CVD碳成膜工艺中，减少卤素的影响，改善碳膜的生产率和膜质。具备如下工序：向基板供给含碳气体和卤素气体，利用化学气相沉积使碳膜沉积在基板上的工序；和，供给跟构成前述卤素气体的卤素反应的气体，使前述碳膜内所含的前述卤素减少的工序，将使前述碳膜沉积的工序和使前述卤素减少的工序作为1个循环，重复多个循环。
本发明授权碳膜的成膜方法和成膜装置在权利要求书中公布了：1.一种碳膜的成膜方法，其具备如下工序： 通过供应含硼气体在基板上形成晶种层的工序； 向所述基板供给含碳气体和卤素气体，利用化学气相沉积使碳膜沉积在所述晶种层上的工序；和，供给跟构成所述卤素气体的卤素反应的气体，使所述碳膜内所含的所述卤素减少的工序，在形成所述晶种层之后，将使所述碳膜沉积的工序和使所述卤素减少的工序作为1个循环，重复多个循环，其中，在所述循环中，不进行形成所述晶种层的工序。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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