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龙图腾网获悉台湾积体电路制造股份有限公司申请的专利制造半导体装置的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114975086B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-13发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110842368.2，技术领域涉及：H10P76/20；该发明授权制造半导体装置的方法是由黄景弘;赖韦翰;张庆裕设计研发完成，并于2021-07-26向国家知识产权局提交的专利申请。

本制造半导体装置的方法在说明书摘要公布了：一种制造半导体装置的方法，包括形成保护层在具有多个突起和凹槽的基板上方。保护层包括聚合物成分，其包括具有重复单元的聚合物，重复单元是一或多个:其中a、b、c、d、e、f、g、h和i各自是H、‑OH、‑ROH、‑ROH22、‑NH22、‑NHR、‑NR22、‑SH、‑RSH或‑RSH22，其中各个重复单元上a、b、c、d、e、f、g、h和i至少一者不是H。R、R11和R22各自是C1～C10烷基、C3～C10环烷基、C1～C10羟烷基、C2～C10烷氧基、C2～C10烷氧基烷基、C2～C10乙酰基、C3～C10乙酰烷基、C1～C10羧基、C2～C10烷基羧基或C4～C10环烷基羧基，n是2至1000。阻剂层形成在保护层上方，且图案化阻剂层。

本发明授权制造半导体装置的方法在权利要求书中公布了：1.一种制造半导体装置的方法，其特征在于，包括： 形成一导电层在一基板上方，该基板具有多个突起和多个凹槽，其中该导电层形成在该些突起上方和在该些凹槽中； 形成一保护层在该导电层上方，其中该保护层包括一聚合物成分，该聚合物成分包括具有多个重复单元的一聚合物，该些重复单元是一或多个： 其中a、b、c、d、e、f、g、h和i各自独立是H、‑OH、‑ROH、‑ROH2、‑NH2、‑NHR、‑NR2、‑SH、‑RSH或‑RSH2，其中各该重复单元上的a、b、c、d、e、f、g、h和i之中至少一者不是H，其中R、R1和R2各自独立是C1至C10烷基、C3至C10环烷基、C1至C10羟烷基、C2至C10烷氧基、C2至C10烷氧基烷基、C2至C10乙酰基、C3至C10乙酰烷基、C1至C10羧基、C2至C10烷基羧基或C4至C10环烷基羧基，且n介于2至1000； 形成一阻剂层在该保护层上方； 图案化该阻剂层；以及形成一导电接触在该导电层上方。

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