京东方科技集团股份有限公司贺家煜获国家专利权
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龙图腾网获悉京东方科技集团股份有限公司申请的专利一种阵列基板、平板探测器和阵列基板的制作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114975491B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-13发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110219223.7，技术领域涉及：H10F39/10；该发明授权一种阵列基板、平板探测器和阵列基板的制作方法是由贺家煜;宁策;李正亮;胡合合;黄杰;姚念琦;赵坤设计研发完成，并于2021-02-26向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种阵列基板、平板探测器和阵列基板的制作方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种阵列基板、平板探测器和阵列基板的制作方法。阵列基板包括衬底，阵列基板包括显示区和探测区，探测区包括位于衬底上的薄膜晶体管，以及位于薄膜晶体管远离衬底一侧的光电二极管，阵列基板还包括位于薄膜晶体管和光电二极管之间的第一无机保护层、有机保护层和第二无机保护层，第一无机保护层、有机保护层和第二无机保护层沿远离衬底的方向依次层叠设置，光电二极管在衬底上的正投影位于有机保护层在衬底上的正投影的范围之内。本发明实施例通过制作覆盖半导体层的有机保护层，能够通过有机保护层阻挡制作光电二极管过程中氢向半导体层扩散的可能性，有助于提高阵列基板的可靠性。
本发明授权一种阵列基板、平板探测器和阵列基板的制作方法在权利要求书中公布了：1.一种阵列基板，其特征在于，包括衬底，所述阵列基板包括显示区和探测区，所述探测区包括位于所述衬底上的薄膜晶体管，以及位于所述薄膜晶体管远离所述衬底一侧的光电二极管，所述阵列基板还包括位于所述薄膜晶体管和所述光电二极管之间的第一无机保护层、有机保护层和第二无机保护层，所述第一无机保护层、有机保护层和第二无机保护层沿远离所述衬底的方向依次层叠设置，所述光电二极管在所述衬底上的正投影位于所述有机保护层在所述衬底上的正投影的范围之内，所述薄膜晶体管包括第一薄膜晶体管，所述第一薄膜晶体管包括第一源漏金属层，所述阵列基板还包括第二源漏金属层，所述第二无机保护层位于所述有机保护层和所述第二源漏金属层之间； 所述有机保护层的材料包括光阻稳氢材料，所述光阻稳氢材料的固化温度不大于260摄氏度。
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