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龙图腾网获悉昆明理工大学申请的专利一种全金属结构的固态装配型微质量传感器及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115014478B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-13发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210743039.7，技术领域涉及：G01G9/00；该发明授权一种全金属结构的固态装配型微质量传感器及其制备方法是由楚合群;孙一帆;赵映景;李志;刑维嘉;欧阳菱静;尚彦彤设计研发完成，并于2022-06-27向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种全金属结构的固态装配型微质量传感器及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种全金属结构的固态装配型微质量传感器及其制备方法，传感器包括衬底、布拉格反射层、下电极层、压电层、绝缘层、上电极层。本发明采用六或八层布拉格反射层构建全金属固态装配型微质量传感器，通过改变上电极厚度模拟质量负载变化发现该传感器可工作在频域变化在2.28GHz～2.25GHz之间的微质量检测；同时，本发明的结构设计整体工序简单，绝缘层与压电层、上电极层的巧妙配合，不仅可以防止沉积时因坡度落差而出现断层或因厚度变化影响特性阻抗值使电压驻波比增加、并防止上下电极发生短接影响测量，还可以降低质量缺陷，且可以避免压电层过大产生寄生效应，对于微质量传感器领域提高传感器的精度和灵敏度是至关重要的。

本发明授权一种全金属结构的固态装配型微质量传感器及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种全金属结构的固态装配型微质量传感器，其特征在于：包括衬底1、布拉格反射层2、下电极层3、压电层4、绝缘层5、上电极层6；其中，布拉格反射层2设置在衬底1上，布拉格反射层2上设置下电极层3、压电层4、绝缘层5，且下电极层3位于布拉格反射层2与压电层4之间，绝缘层5紧靠在压电层4远离下电极层3一侧并与压电层4同高，上电极层6设置于压电层4和绝缘层5之上，上电极层6与下电极层3未在同一图层； 所述下电极层3与上电极层6结构基本相同，均由依次连接的不规则五边形的有效压电区域、引线区域、pad区域三部分构成； 所述压电层4沉积在下电极层3之上，下电极层3的有效压电区域与一部分引线区域被压电层4覆盖，其余区域未被压电层4覆盖； 所述布拉格反射层2为全金属布拉格反射层，是由3‑4个反射组构成，每个反射组由两个阻抗层构成，一个高声阻抗层和一个低声阻抗层； 所述布拉格反射层2中高声阻抗层的材料为W，每层高声阻抗层的厚度为，低声阻抗层的材料为Al，每层低声阻抗层的厚度为； 所述在衬底1上沉积全金属布拉格反射层2，包括：使用物理磁控溅射系统在干燥后的单晶硅上先沉积一层厚度为的高声阻抗薄膜W，选用纯度为99.95%的纯W靶材，设置射频功率为60W，溅射压强为1.2Pa，基底温度设置室温水冷，氩气流量为20Sccm沉积完毕后，再在W薄膜表面上沉积厚度为的低声阻抗薄膜Al，选用纯度为99.99%的纯Al靶材，设置射频功率为300W，溅射压强为0.5Pa，基底温度设置室温水冷，氩气流量为20Sccm；重复以上步骤制备反射组为3‑4组的布拉格反射层； 通过在150nm‑200nm范围内改变上电极厚度，使传感器工作在频域变化为2.25GHz~

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