浙江大学杭州国际科创中心许凯获国家专利权
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龙图腾网获悉浙江大学杭州国际科创中心申请的专利一种LDMOS晶体管结构以及对应的制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115020486B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-13发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210600722.5，技术领域涉及：H10D64/27；该发明授权一种LDMOS晶体管结构以及对应的制造方法是由许凯;张亦舒设计研发完成，并于2022-05-30向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种LDMOS晶体管结构以及对应的制造方法在说明书摘要公布了：本发明涉及LDMOS技术领域，公开了一种LDMOS晶体管结构以及对应的制造方法，包括：器件本体，所述器件本体包括衬底层和位于衬底层上方的N型漂移区，N型漂移区的上方设有按预定距离间隔排列的至少两个第二栅极；当器件本体处于关断状态下时，向至少两个第二栅极施加电压从而增加相应位置的击穿电压；当器件本体处于开启状态下时，向至少两个第二栅极施加电压从而降低导通电阻；本发明通过以上技术方案实现了对击穿电压和导通电阻矛盾的突破，提高了功率半导体芯片和电力智能设备的可靠性，保证了电网安全稳定运行。
本发明授权一种LDMOS晶体管结构以及对应的制造方法在权利要求书中公布了：1.一种LDMOS晶体管结构，包括：器件本体，所述器件本体包括衬底层和位于所述衬底层表面的P阱区和N型漂移区，所述P阱区的表面设有第一栅极，所述N型漂移区的表面设有漏极，其特征在于，所述第一栅极和所述漏极之间的所述N型漂移区表面设有间隔排列的至少两个第二栅极，至少两个所述第二栅极沿第一栅极至所述漏极方向依次排列，依次增大所述第一栅极与第1个第二栅极的间隔、多个第二栅极之间的间隔和第i个第二栅极与所述漏极的间隔，其中，所述间隔排列的至少两个第二栅极用于当所述器件本体处于关断状态时，向至少两个所述第二栅极施加电压，从而增加所述器件本体的击穿电压，当所述器件本体处于开启状态时，向至少两个所述第二栅极施加电压从而降低所述器件本体的导通电阻，所述衬底层还包括N埋层；或者，所述衬底层和所述P阱区、所述N型漂移区之间还设有二氧化硅层。
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