上海集成电路装备材料产业创新中心有限公司;上海集成电路研发中心有限公司张健澄获国家专利权
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龙图腾网获悉上海集成电路装备材料产业创新中心有限公司;上海集成电路研发中心有限公司申请的专利光掩模缺陷定位方法及消除方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115047710B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-13发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210758520.3，技术领域涉及：G03F1/72；该发明授权光掩模缺陷定位方法及消除方法是由张健澄设计研发完成，并于2022-06-30向国家知识产权局提交的专利申请。
本光掩模缺陷定位方法及消除方法在说明书摘要公布了：本发明提供了一种光掩模缺陷定位方法及消除方法。所述光掩模缺陷定位方法包括获取目标光掩模中刻蚀掩模层中电子图像，所述目标光掩模包括透明衬底层和若干个设置在所述透明衬底层上的刻蚀掩模层，所述刻蚀掩膜层存在缺陷；根据所述电子图像获取所述电子图像中的图像缺陷位置；根据所述图像缺陷位置确定所述刻蚀掩模层中的实际缺陷位置，根据所述实际缺陷位置在所述透明衬底层表面进行刻蚀沉积处理以形成若干个定位点。本发明能够提高光掩膜缺陷修补的准确率和效率，降低重复修补的情况。
本发明授权光掩模缺陷定位方法及消除方法在权利要求书中公布了：1.一种光掩模缺陷消除方法，其特征在于，包括： 获取目标光掩模中刻蚀掩模层中电子图像，所述目标光掩模包括透明衬底层和若干个设置在所述透明衬底层上的刻蚀掩模层，所述刻蚀掩膜层由下到上依次包括铬层和氧化铬层，所述氧化铬层存在缺陷； 根据所述电子图像获取所述电子图像中的图像缺陷位置； 根据所述图像缺陷位置确定所述刻蚀掩模层中的实际缺陷位置，根据所述实际缺陷位置在所述透明衬底层表面进行刻蚀沉积处理以形成若干个定位点，包括：根据所述刻蚀掩模层上的所述实际缺陷位置，在所述实际缺陷位置两侧的所述透明衬底层上确定定位点位置；根据所述定位点位置，采用电子束对所述定位点位置进行刻蚀预处理；在刻蚀预处理后的所述定位点位置沉积一层定位薄膜，反复多次沉积，直至所述定位薄膜厚度达到预设厚度；采用所述电子束对所述定位薄膜进行刻蚀后处理以形成预设尺寸的所述定位点； 根据所述定位点对所述实际缺陷位置进行定位后，采用离子束修补设备对所述实际缺陷位置进行修补； 通过所述离子束修补设备去除所述定位点。
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