广州华星光电半导体显示技术有限公司弓程获国家专利权
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龙图腾网获悉广州华星光电半导体显示技术有限公司申请的专利薄膜晶体管及其制备方法、显示面板获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115064597B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-13发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210775614.1，技术领域涉及：H10D30/67；该发明授权薄膜晶体管及其制备方法、显示面板是由弓程设计研发完成，并于2022-07-01向国家知识产权局提交的专利申请。
本薄膜晶体管及其制备方法、显示面板在说明书摘要公布了：本申请公开了一种薄膜晶体管及其制备方法、显示面板。该薄膜晶体管包括衬底、设于衬底的一侧的有源层以及设于有源层背对衬底的一侧的源漏极层，有源层和源漏极层欧姆接触设置；源漏极层的材料为硼化镧，有源层的材料包括硼化镧。本申请中的源漏极层的材料为硼化镧，且有源层的材料包括硼化镧，使得在有源层成膜后，源漏极层可以通过与有源层同样的成膜工艺继续成膜，实现有源层和源漏极层的膜层的一次连续成膜，从而有助于简化成膜工艺的工序，大大提升成膜工艺的产能；此外，本申请中的有源层和源漏极层的材料的元素种类一致，有助于降低有源层和源漏极层之间的界能障碍，使得二者的欧姆接触完美，从而有效避免产生界面缺陷。
本发明授权薄膜晶体管及其制备方法、显示面板在权利要求书中公布了：1.一种薄膜晶体管，其特征在于，包括衬底、设于所述衬底的一侧的有源层以及设于所述有源层背对所述衬底的一侧的源漏极层，所述有源层和所述源漏极层欧姆接触设置； 其中，所述源漏极层的材料为硼化镧，所述有源层的材料包括硼化镧和半导体材料，所述源漏极层呈现导体特性，所述有源层呈现半导体特性； 其中，所述有源层中由硼化镧构成的膜层位于靠近所述源漏极层而设置。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人广州华星光电半导体显示技术有限公司，其通讯地址为：510700 广东省广州市黄埔区(中新广州知识城)亿创街1号406房之417；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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