京东方科技集团股份有限公司李栋获国家专利权
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龙图腾网获悉京东方科技集团股份有限公司申请的专利一种晶体管、其制作方法及驱动基板获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115101590B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-13发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210728581.5，技术领域涉及：H10D64/27；该发明授权一种晶体管、其制作方法及驱动基板是由李栋;屈财玉;张慧娟;陈登云;刘政设计研发完成，并于2022-06-24向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种晶体管、其制作方法及驱动基板在说明书摘要公布了：本发明提供了一种晶体管、其制作方法及驱动基板，其中，所述晶体管包括：依次设置在基板上的有源层、栅极绝缘层、栅极、源漏极，所述源漏极包括同层设置的源极和漏极；其中：在所述栅极与所述有源层交叠的区域，所述栅极绝缘层包括具有第一厚度的第一部分和具有第二厚度的第二部分，所述第一部分向靠近所述源极的一侧延伸，且所述第二部分向靠近所述漏极的一侧延伸，所述第二厚度小于所述第一厚度。用于降低功耗。
本发明授权一种晶体管、其制作方法及驱动基板在权利要求书中公布了：1.一种晶体管，其特征在于，包括： 依次设置在基板上的有源层、栅极绝缘层、栅极、源漏极，所述源漏极包括同层设置的源极和漏极；其中： 在所述栅极与所述有源层交叠的区域，所述栅极绝缘层包括具有第一厚度的第一部分和具有第二厚度的第二部分，所述第一部分向靠近所述源极的一侧延伸，且所述第二部分向靠近所述漏极的一侧延伸，所述第二厚度小于所述第一厚度；其中，所述有源层为低温多晶硅材料；所述栅极绝缘层在所述第二部分靠近所述有源层的一侧设置有界面电荷层；所述界面电荷层在所述基板上的正投影完全落入所述第二部分在所述基板上的正投影的区域范围内，且所述界面电荷层呈负电性；所述栅极在所述第二部分对应区域的电场控制能力大于在所述第一部分对应区域的电场控制能力。
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